| 主权项 |
1.一种以无电镀在基底上形成一金属阻障盖层的 方法,包含有以下步骤: 在该基底上进行一铜导线制程,以于该基底上形成 至少一铜导线,其具有一暴露出来的上表面; 对该铜导线的该暴露出来的上表面进行一预清洗 制程; 使经过该预清洗制程的该铜导线的该暴露出来的 上表面接触一活化溶液,俾进行一活化处理; 对该铜导线的该暴露出来的上表面在温度低于400 ℃以下且含有一醇类蒸汽以及至少一载气的环境 中进行一现场回火制程;以及 选择性地将该金属阻障盖层以无电镀方式沈积在 该铜导线的该暴露出来的上表面。 2.如申请专利范围第1项所述之一种以无电镀在基 底上形成金属阻障盖层的方法,其中该铜导线制程 包含有以下步骤: 于该基底上沈积一介电层; 于该介电层中形成一沟渠; 于该沟渠内形成衬垫层; 于该沟渠内填满铜金属;以及 将该沟渠外的该铜金属以一化学机械研磨制程去 除,以形成该铜导线以及该暴露出来的上表面。 3.如申请专利范围第1项所述之一种以无电镀在基 底上形成金属阻障盖层的方法,其中该预清洗制程 系使用pH値小于或等于4左右的酸性清洗液。 4.如申请专利范围第1项所述之一种以无电镀在基 底上形成金属阻障盖层的方法,其中该活化溶液包 含有催化金属,其包含有钯、铂、钌、锇、铑以及 铱。 5.如申请专利范围第1项所述之一种以无电镀在基 底上形成金属阻障盖层的方法,其中该醇类蒸汽系 为乙醇蒸汽。 6.如申请专利范围第1项所述之一种以无电镀在基 底上形成金属阻障盖层的方法,其中该醇类蒸汽系 经由一起泡瓶产生。 7.如申请专利范围第1项所述之一种以无电镀在基 底上形成金属阻障盖层的方法,其中该载气包含有 氮气以及氦气。 8.如申请专利范围第1项所述之一种以无电镀在基 底上形成金属阻障盖层的方法,其中该现场回火制 程系在150℃至350℃之间的温度下进行约5分钟左右 。 9.一种以无电镀在基底上形成一金属阻障盖层的 方法,包含有以下步骤: 在该基底上进行一铜导线制程,以于该基底上形成 至少一铜导线,其具有一暴露出来的上表面; 对该铜导线的该暴露出来的上表面进行一预清洗 制程; 对该铜导线的该暴露出来的上表面在温度低于400 ℃以下且含有一醇类蒸汽以及至少一载气的环境 中进行一现场回火制程;以及 选择性地将该金属阻障盖层以无电镀方式沈积在 该铜导线的该暴露出来的上表面。 10.如申请专利范围第9项所述之一种以无电镀在基 底上形成金属阻障盖层的方法,其中该铜导线制程 包含有以下步骤: 于该基底上沈积一介电层; 于该介电层中形成一沟渠; 于该沟渠内形成衬垫层; 于该沟渠内填满铜金属;以及 将该沟渠外的该铜金属以一化学机械研磨制程去 除,以形成该铜导线以及该暴露出来的上表面。 11.如申请专利范围第9项所述之一种以无电镀在基 底上形成金属阻障盖层的方法,其中该预清洗制程 系使用pH値小于或等于4左右的酸性清洗液。 12.如申请专利范围第9项所述之一种以无电镀在基 底上形成金属阻障盖层的方法,其中该醇类蒸汽系 为乙醇蒸汽。 13.如申请专利范围第9项所述之一种以无电镀在基 底上形成金属阻障盖层的方法,其中该醇类蒸汽系 经由一起泡瓶产生。 14.如申请专利范围第9项所述之一种以无电镀在基 底上形成金属阻障盖层的方法,其中该载气包含有 氮气以及氦气。 15.如申请专利范围第9项所述之一种以无电镀在基 底上形成金属阻障盖层的方法,其中该现场回火制 程系在150℃至350℃之间的温度下进行约5分钟左右 。 图式简单说明: 第1图至第4图绘示的是铜金属导线制程的剖面示 意图。 第5图绘示的是本发明较佳实施例的方法流程图。 第6图绘示的是本发明较佳实施例中用以在乙醇蒸 汽环境中实施导电层表面的回火/还原设备示意图 。 |
