| 主权项 |
1.一种光学装置,其特征为具备: 大致矩形状之有效部,其系形成于基板主面,并具 备显示图像用之数个像素;及 密封体,其系以覆盖基板主面之至少前述有效部之 方式而配置; 前述密封体具有层叠:实质上相同图案之至少2层 缓冲层;及系比前述缓冲层大之图案,且覆盖各缓 冲层之障壁层之构造,且自前述有效部端之一边至 第一缓冲层端之一边之最短距离与至第二缓冲层 端之一边之最短距离不同。 2.如请求项1之光学装置,其中前述有效部包含:第 一电极,其系配置成矩阵状,每像素形成独立岛状; 第二电极,其系与前述第一电极相对而配置,并形 成全部像素共用;及有机活性层,其系保持于前述 第一电极与前述第二电极之间。 3.如请求项1之光学装置,其中前述第二缓冲层系以 覆盖前述第一缓冲层之1个角部之方式配置。 4.如请求项1之光学装置,其中前述密封体至少具备 3层前述缓冲层,具备:第一缓冲层;第二缓冲层,其 系以覆盖前述第一缓冲层之1个角部之方式配置; 及第三缓冲层,其系以覆盖前述第二缓冲层之1个 角部之方式配置。 5.如请求项1之光学装置,其中前述第二缓冲层系以 对前述第二缓冲层之角部相对露出前述第一缓冲 层之4个角部之方式配置。 6.如请求项1之光学装置,其中前述障壁层系藉由金 属材料、金属氧化物材料或陶瓷系材料而形成。 7.如请求项1之光学装置,其中前述缓冲层系藉由树 脂材料而形成。 8.如请求项1之光学装置,其中前述缓冲层使用树脂 材料而形成; 前述第一缓冲层及前述第二缓冲层经过经由相同 图案之掩模来蒸镀树脂材料之步骤而形成。 9.一种光学装置之制造方法,其系在基板主面上形 成大致矩形状之有效部,其系具备显示图像用之数 个像素; 并以覆盖基板主面之至少前述有效部之方式配置 密封体之光学装置之制造方法,其特征为: 前述密封体之制造步骤包含以下步骤: 形成至少比前述有效部大之图案之大致矩形状之 第一缓冲层; 形成比前述第一缓冲层大之图案,且覆盖前述第一 缓冲层之第一障壁层; 在前述第一障壁层上形成与前述第一缓冲层实质 上相同图案之第二缓冲层; 形成比前述第二缓冲层大之图案,且覆盖前述第二 缓冲层之第二障壁层; 自前述有效部端之一边至第一缓冲层端之一边之 最短距离与至第二缓冲层端之一边之最短距离不 同。 10.如请求项9之光学装置之制造方法,其中前述有 效部包含:第一电极,其系配置成矩阵状,每像素形 成独立岛状;第二电极,其系与前述第一电极相对 而配置,并形成全部像素共用;及有机活性层,其系 保持于前述第一电极与前述第二电极之间。 11.如请求项9之光学装置之制造方法,其中形成前 述第一缓冲层及前述第二缓冲层之步骤包含蒸镀 步骤,其系经由相同图案之掩模来蒸镀树脂材料。 12.如请求项11之光学装置之制造方法,其中形成前 述第一缓冲层及前述第二缓冲层用之各个蒸镀步 骤,将前述掩模对准于不同之位置。 13.如请求项11之光学装置之制造方法,其中形成前 述第一缓冲层用之蒸镀步骤,系经由以基板主面之 第一对准符号为基准而对准之前述掩模来蒸镀树 脂材料; 形成前述第二缓冲层用之蒸镀步骤,系经由以与前 述第一对准符号不同位置之第二对准符号为基准 而对准之前述掩模来蒸镀树脂材料。 14.一种显示元件,其特征为: 系形成于基板主面;且 具备密封体,其系以覆盖前述显示元件之方式而配 置; 前述密封体具有层叠:至少2层缓冲层;及系比前述 缓冲层大之图案,且覆盖各缓冲层之障壁层之构造 ; 第一缓冲层具有与配置于其上层之第二缓冲层不 同尺寸之图案; 前述第二缓冲层系以其外缘部在基板主面内,位于 比前述第一缓冲层之外缘部更内侧或外侧之方式 堆叠。 15.一种光学装置,其特征为具备: 有效部,其系形成于基板主面,并具备数个显示元 件;及 密封体,其系以覆盖基板主面之至少前述有效部之 方式而配置; 前述密封体具有层叠:至少2层缓冲层;及系比前述 缓冲层大之图案,且覆盖各缓冲层之障壁层之构造 ; 第一缓冲层具有与配置于其上层之第二缓冲层不 同尺寸之图案; 前述第二缓冲层系以其外缘部在基板主面内,位于 比前述第一缓冲层之外缘部更内侧或外侧之方式 层叠。 16.如请求项15之光学装置,其中前述第一缓冲层具 有比前述第二缓冲层大尺寸之图案; 前述第二缓冲层之外缘部在基板主面内,位于比前 述第一缓冲层之外缘部更内侧。 17.如请求项15之光学装置,其中前述第一缓冲层具 有比前述第二缓冲层小尺寸之图案; 前述第二缓冲层之外缘部在基板主面内,位于比前 述第一缓冲层之外缘部更外侧。 18.如请求项15之光学装置,其中前述有效部包含:第 一电极,其系配置成矩阵状,每像素形成独立岛状; 第二电极,其系与前述第一电极相对而配置,并形 成全部像素共用;及有机活性层,其系保持于前述 第一电极与前述第二电极之间。 19.如请求项15之光学装置,其中前述障壁层系藉由 金属材料、金属氧化物材料或陶瓷系材料而形成 。 20.如请求项15之光学装置,其中前述缓冲层系藉由 树脂材料而形成。 21.一种光学装置之制造方法,其特征为: 其系在基板主面上形成具备数个像素之有效部; 并以覆盖基板主面之至少前述有效部之方式配置 密封体之光学装置之制造方法;且 前述密封体之制造步骤具备以下步骤: 对应于前述有效部而形成第一缓冲层; 形成系比前述第一缓冲层大之图案,且覆盖前述第 一缓冲层之障壁层;及 在前述障壁层上,对应于前述有效部而形成第二缓 冲层; 形成前述第一缓冲层及前述第二缓冲层之步骤包 含成膜步骤,其系经由相同图案之掩模,将树脂材 料予以成膜,各个成膜步骤系以自基板主面至前述 掩模之间隔不同之方式对准; 前述第一缓冲层系以具有与前述第二缓冲层不同 尺寸之图案之方式形成; 前述第二缓冲层系以其外缘部在基板主面内,位于 比前述第一缓冲层之外缘部更内侧或外侧之方式 层叠。 22.如请求项21之光学装置之制造方法,其中形成前 述第二缓冲层用之前述成膜步骤中之自基板主面 至前述掩模之间隔,设定比形成前述第一缓冲层用 之前述成膜步骤小; 前述第二缓冲层具有比前述第一缓冲层小尺寸之 图案; 前述第二缓冲层之外缘部在基板主面内,位于比前 述第一缓冲层之外缘部更内侧。 23.如请求项21之光学装置之制造方法,其中形成前 述第二缓冲层用之前述成膜步骤中之自基板主面 至前述掩模之间隔,设定比形成前述第一缓冲层用 之前述成膜步骤大; 前述第二缓冲层具有比前述第一缓冲层大尺寸之 图案; 前述第二缓冲层之外缘部在基板主面内,位于比前 述第一缓冲层之外缘部更外侧。 24.一种光学装置之制造方法,其特征为: 其系在基板主面上形成具备数个像素之有效部; 并以覆盖基板主面之至少前述有效部之方式配置 密封体之光学装置之制造方法;且 前述密封体之制造步骤具备以下步骤: 在形成有前述有效部之基板主面上安装障壁层用 掩模; 经由前述障壁层用掩模,而形成至少覆盖前述有效 部之第一障壁层; 在前述第一障壁层上,对应于前述有效部而形成第 一缓冲层; 经由前述障壁层用掩模,形成比前述第一缓冲层大 之图案,且覆盖前述第一缓冲层之第二障壁层; 在前述第二障壁层上,对应于前述有效部而形成第 二缓冲层;及 经由前述障壁层用掩模,形成比前述第二缓冲层大 之图案,且覆盖前述第二缓冲层之第三障壁层; 形成前述第一缓冲层及前述第二缓冲层之步骤包 含成膜步骤,其系经由相同图案之掩模,而将树脂 材料予以成膜,各个成膜步骤以自基板主面至前述 掩模之间隔不同之方式对准; 前述第一缓冲层系以具有与前述第二缓冲层不同 尺寸之图案之方式形成; 前述第二缓冲层系以其外缘部在基板主面内,位于 比前述第一缓冲层之外缘部更内侧或外侧之方式 层叠。 25.一种光学装置,其特征为具备: 显示区域,其系形成于基板主面,并具备显示图像 用之数个像素;及 叠层体,其系层叠: 第一薄膜,其系以覆盖前述显示区域之方式配置; 第二薄膜,其系覆盖前述第一薄膜; 第三薄膜,其系覆盖前述显示区域,且局部覆盖前 述第二薄膜;及 第四薄膜,其系覆盖前述第三薄膜; 前述第一薄膜及前述第三薄膜之平面形状彼此不 同。 26.一种显示装置,其特征为具备: 基板,其主表面上包含显示区域,该显示区域系具 备显示图像用之数个像素;及 叠层体,其系层叠: 第一薄膜,其系以覆盖前述显示区域之方式配置; 第二薄膜,其系覆盖前述第一薄膜; 第三薄膜,其系以与前述第一薄膜不同尺寸之图案 构成,并局部覆盖前述第二薄膜;及 第四薄膜,其系覆盖前述第三薄膜; 前述第一薄膜及前述第三薄膜之至少一边端部之 平面位置彼此不同。 27.一种显示装置,其特征为具备: 显示区域,其系形成于基板主面,并具备显示图像 用之数个像素;及 叠层体,其系层叠: 第一薄膜,其系以覆盖前述显示区域之方式配置; 第二薄膜,其系覆盖前述第一薄膜; 第三薄膜,其系以与前述第一薄膜相同图案形状构 成,且局部覆盖前述第二薄膜;及 第四薄膜,其系覆盖前述第三薄膜; 前述第一薄膜及前述第三薄膜之平面位置彼此不 同。 图式简单说明: 图1系概略显示本发明一种实施形态之有机EL显示 装置之阵列基板之构造图。 图2系概略显示图1所示之有机EL显示装置之1个像 素部分之构造之剖面图。 图3系概略显示配置有密封体之阵列基板外观之立 体图。 图4A系说明第一实施例之有机EL显示装置之制造方 法用之平面图。 图4B系说明第一实施例之有机EL显示装置之制造方 法用之平面图。 图4C系说明第一实施例之有机EL显示装置之制造方 法用之平面图。 图4D系说明第一实施例之有机EL显示装置之制造方 法用之平面图。 图5A系形成密封体之障壁层用之制造步骤之说明 图。 图5B系形成密封体之缓冲层用之制造步骤之说明 图。 图5C系形成密封体之障壁层用之制造步骤之说明 图。 图6系概略显示以第一实施例及第三实施例制造之 有机EL显示装置之剖面构造图。 图7系概略显示以第二实施例制造之有机EL显示装 置之剖面构造图。 图8A系说明第二实施例之有机EL显示装置之制造方 法用之平面图。 图8B系说明第二实施例之有机EL显示装置之制造方 法用之平面图。 图8C系说明第二实施例之有机EL显示装置之制造方 法用之平面图。 图8D系说明第二实施例之有机EL显示装置之制造方 法用之平面图。 图8E系说明第二实施例之有机EL显示装置之制造方 法用之平面图。 图9A系说明第三实施例之有机EL显示装置之制造方 法用之平面图。 图9B系说明第三实施例之有机EL显示装置之制造方 法用之平面图。 图9C系说明第三实施例之有机EL显示装置之制造方 法用之平面图。 图9D系说明第三实施例之有机EL显示装置之制造方 法用之平面图。 图10系概略显示形成密封体用之装置构造图。 图11A系概略显示以A-B线切断图3所示之阵列基板时 之密封体之剖面构造图。 图11B系概略显示图11A所示之阵列基板及密封体之 平面构造图。 图12A系概略显示以A-B线切断图3所示之阵列基板时 之其他密封体之剖面构造图。 图12B系概略显示图12A所示之阵列基板及密封体之 平面构造图。 图13A系说明有机EL显示装置之制造方法用之概略 剖面图。 图13B系说明适用于有机EL显示装置之密封体之第 一障壁层之制造方法用之概略剖面图。 图13C系说明适用于有机EL显示装置之密封体之第 一缓冲层之制造方法用之概略剖面图。 图13D系说明适用于有机EL显示装置之密封体之第 二障壁层之制造方法用之概略剖面图。 图13E系说明适用于有机EL显示装置之密封体之第 二缓冲层之制造方法用之概略剖面图。 图13F系说明适用于有机EL显示装置之密封体之第 三障壁层之制造方法用之概略剖面图。 图14系概略显示形成密封体用之制造装置之构造 图。 图15系概略显示图14所示之制造装置之第二处理室 之构造图。 |
