发明名称 电绝缘树脂组合物及自彼形成薄膜之方法
摘要 本发明系关于一种电绝缘薄膜形成树脂组合物,其系包含:(A)一无机或有机电绝缘树脂,其具有键结至矽原子之氢原子、(B)一化合物,其具有可与成份(A)中键结至矽原子之氢原子反应之基团,且其于大气压下之沸点为至少250℃、以及(C)一溶剂;亦关于一种自彼形成电绝缘薄膜之方法。
申请公布号 TWI254069 申请公布日期 2006.05.01
申请号 TW090101887 申请日期 2001.01.31
申请人 道康宁特雷矽力康股份有限公司 发明人 中村隆司;泽清隆;小林昭彦;峰胜利
分类号 C09D183/05;C08K5/00;C08L83/05;H01L21/312 主分类号 C09D183/05
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 1.一种电绝缘薄膜形成树脂组合物,其系包含:(A)氢 矽氧倍半烷树脂、(B)化合物,其具有可与成份(A)中 键结至矽原子之氢原子反应之基团,且其于大气压 下之沸点为至少250℃、以及(C)溶剂,其中成份(B)系 选自由1,3-二己烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷、1,3,5, 7,9-五乙烯基环五矽氧烷、线性甲基乙烯基矽氧烷 寡聚物、三羟甲基丙烷单烯丙基醚及聚环氧烷二 烯丙基醚组成之群。 2.根据申请专利范围第1项之电绝缘薄膜形成树脂 组合物,其另包含(D)作为交联加速剂之催化剂。 3.根据申请专利范围第2项之电绝缘薄膜形成树脂 组合物,其中该催化剂为以铂为主成份之催化剂。 4.根据申请专利范围第1项之电绝缘薄膜形成树脂 组合物,于其中,相对于成份(B)中可与键结至矽原 子之氢原子反应之基团,系包含至少1当量之成份(A )中键结至矽原子之氢原子。 5.根据申请专利范围第1项之电绝缘薄膜形成树脂 组合物,于其中,相对于成份(B)中可与键结至矽原 子之氢原子反应之基团,系包含至少5倍当量之成 份(A)中键结至矽原子之氢原子。 6.根据申请专利范围第1项之电绝缘薄膜形成树脂 组合物,其中成份(B)系1,3-二己烯基-1,1,3,3-四甲基 二矽氧烷。 7.根据申请专利范围第1项之电绝缘薄膜形成树脂 组合物,其中该溶剂系选自由甲基异丁基酮、及矽 氧烷所成之群。 8.一种形成电绝缘薄膜之方法,其系包含:将电绝缘 薄膜形成树脂组合物涂覆于电子装置之表面上,该 电绝缘薄膜形成树脂组合物系包含(A)氢矽氧倍半 烷树脂、(B)化合物,其具有可与成份(A)中键结至矽 原子之氢原子反应之基团,且其于大气压下之沸点 为至少250℃、以及(C)溶剂;使该溶剂全部或部份蒸 发,并使该组合物形成交联,交联方法系选自由加 热、及以高能量射线所行辐射所成之群,其中成份 (B)系选自由1,3-二己烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷、 1,3,5,7,9-五乙烯基环五矽氧烷、线性甲基乙烯基矽 氧烷寡聚物、三羟甲基丙烷单烯丙基醚及聚环氧 烷二烯丙基醚组成之群。 9.根据申请专利范围第8项之形成电绝缘薄膜之方 法,其另包含(D)作为交联加速剂之催化剂。
地址 日本