| 发明名称 |
IMPROVED RECESSED DRAIN EXTENSIONS IN TRANSISTOR DEVICE |
| 摘要 |
<p>A method of forming an integrated circuit transistor (50) is provided. A gate structure (54<sub</p> |
| 申请公布号 |
WO2006044731(A2) |
申请公布日期 |
2006.04.27 |
| 申请号 |
WO2005US37147 |
申请日期 |
2005.10.18 |
| 申请人 |
TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED;HALL, LINDSEY, H. |
发明人 |
HALL, LINDSEY, H. |
| 分类号 |
H01L29/772;H01L21/336 |
主分类号 |
H01L29/772 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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