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发明名称
Structure and manufacturing method for SOI of Si epitaxial growth
摘要
申请公布号
KR100574649(B1)
申请公布日期
2006.04.27
申请号
KR20030042290
申请日期
2003.06.27
申请人
发明人
分类号
H01L27/12
主分类号
H01L27/12
代理机构
代理人
主权项
地址
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