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Eine Halbleitervorrichtung (100, 100a, 101a-101d) beinhaltet n (n >= 2) isolierte und getrennte Transistorelemente (Tr1-Trn), die nacheinander zwischen einem Massepotential und einem vorgegebenen Potential verbunden sind. Ein Transistorelement (Tr1) auf der Seite des GND-Potentials ist eine erste Stufe, und eine Transistorelement (Trn) auf der Seite des vorgegebenen Potentials ist eine n-te Stufe. Zwischen dem GND-Potential und dem vorgegebenen Potential sind Widerstands- oder Kapazitätselemente (R1-Rn) in Reihe miteinander verbunden. Ein Widerstands- oder Kapazitätselement (R1) auf der Seite des GND-Potentials ist eine erste Stufe, und ein Widerstands- oder Kapazitätselement (Rn) auf der Seite des vorgegebenen Potentials ist eine n-te Stufe. Gateanschlüsse der Transistorelemente bei den jeweiligen Stufen, ausschließlich des Transistorelements bei der ersten Stufe, sind nacheinander mit Verbindungspunkten (P2-Pn) verbunden. Von dem Anschluss auf der Seite des vorgegebenen Potentials des Transistorelements (Trn) der n-ten Stufe wird eine Ausgabe entnommen.
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