| 发明名称 | 一种a面和m面GaN薄膜材料的控制生长方法 | ||
| 摘要 | 一种a面和m面GaN薄膜材料的控制生长方法，在MOCVD系统中用铝酸锂做衬底生长a面或m面的GaN材料，在MOCVD系统中对生长的(302)和(100)铝酸锂衬底在500－1050℃温度下进行材料热处理，时间为10－60分钟，或然后通入氨气进行表面氮化，时间为10－60分钟；然后在500－1050℃温度范围通入载气H<SUB>2</SUB>和或N<SUB>2</SUB>，NH<SUB>3</SUB>气以及金属有机镓源，金属有机镓源流量为1－50sccm；NH<SUB>3</SUB>气500－7000sccm；N与Ga之摩尔比为500－3000，在(302)或(100)铝酸锂衬底上合成生长a面或m面的GaN材料，生长温度500－1050℃温度下，时间为10－60分钟。本发明GaN薄膜具有更好的应用价值，且薄膜厚度可以控制。 | ||
| 申请公布号 | CN1763268A | 申请公布日期 | 2006.04.26 |
| 申请号 | CN200510094184.3 | 申请日期 | 2005.09.01 |
| 申请人 | 南京大学 | 发明人 | 谢自力;张荣;刘成祥;韩平;周圣明;修向前;刘斌;李亮;郑有炓;顾书林;江若琏;施毅;朱顺明;胡立群 |
| 分类号 | C30B25/02(2006.01);C30B29/40(2006.01);H01L21/205(2006.01) | 主分类号 | C30B25/02(2006.01) |
| 代理机构 | 南京天翼专利代理有限责任公司 | 代理人 | 汤志武 |
| 主权项 | 1、一种a面和m面GaN薄膜材料的控制生长方法，其特征是在MOCVD系统中用(302)和(100)铝酸锂做衬底生长a面或m面的GaN材料，在MOCVD系统中对生长的(302)和(100)铝酸锂衬底在500-1050℃温度下进行材料热处理，时间为10-60分钟，或然后通入氨气进行表面氮化，时间为10-60分钟；然后在500-1050℃温度范围通入载气H2和或N2，NH3气以及金属有机镓源，金属有机镓源流量为1-50sccm；NH3气500-7000sccm；N与Ga之摩尔比为500-3000，在(302)或(100)铝酸锂衬底上合成生长a面或m面的GaN材料，生长温度500-1050℃温度下，时间为10-60分钟。 | ||
| 地址 | 210093江苏省南京市汉口路22号 | ||