氮化镓单晶膜的制造方法

摘要

一种氮化镓单晶膜的制造方法，在传统的衬底、氮化镓缓冲层的基础上，将衬底加热到900-1100℃，生长一层富镓的第二氮化镓缓冲层，再在该缓冲层上生长所需的氮化镓晶体叠层。本发明工艺简单，生长的缓冲层结晶性能好，并具有大量的氮空位来弛豫衬底各氮化镓晶体之间的应力，可使生长于该缓冲层之上的氮化镓叠层具有良好的结晶品质，且不会产生裂纹。

主权项

1、一种氮化镓单晶膜的制造方法，在蓝宝石衬底上生成第一、第二氮化镓缓冲层，再在第二缓冲层上生长氮化镓单晶膜，其特征是在第一氮化镓缓冲层生长完成后，将衬底加热到900-1100℃，通入大量H2作载气，以100＜V/III＜500的氨气和三甲基镓混合气，生成一层厚度为0.5-4.0μm的第二氮化镓缓冲层。