基于二氯甲硅烷的化学汽相淀积多晶硅化物膜中异常生长的控制

摘要

在用于减轻和/或消除基于二氯甲硅烷基的CVD多晶硅硅化物WSi_x膜中底层多晶硅的异常生长的工艺中，第一种技术是在基本上能够避免底层多晶硅结晶的温度进行底层多晶硅层的淀积。第二种方法是减小甲硅烷SiH₄后冲洗暴露(例如持续时间和/或浓度)，以避免硅侵入到底层多晶硅层，产生异常生长。以这种方式，可以消除异常现象，例如在后来的层中出现的应力破裂。

主权项

1.一种形成双层半导体膜的方法，包括：在扩散工序中，在底层衬底上设置多晶硅层，该扩散工序是在避免多晶硅结晶的第一温度下进行的，所述第一温度低于550摄氏度；将多晶硅层的温度升高到第二温度，所述第二温度等于或大于620摄氏度；用包括甲硅烷SiH4的第一冲洗材料冲洗多晶硅层以提供过渡层；用包括二氯甲硅烷SiH2Cl2和氟化钨WF6的第二冲洗材料冲洗多晶硅层，以便在多晶硅层上提供包括硅化钨WSix的第二材料层，过渡层提供第二材料层和多晶硅层之间的粘附性；提供第二冲洗材料以便在过渡层上淀积体第二材料层；用第二冲洗材料冲洗体第二材料层以便除去杂质；用第一冲洗材料冲洗体第二材料层，用以减小多晶硅层和第二材料层之间的应力。