高速硅基电光调制器

摘要

基于形成来部分覆盖第二导电性类型的体区域的第一导电性的栅区域的硅基电光调制器(30)，具有在栅区域和体区域(12，10)的接触部分之间插入的相对较薄电介质层(10)。调制器可以在SOI平台形成，在SOI结构的相对较薄的硅表面层中形成体区域并且用覆盖SOI结构的相对较薄的硅层(10)形成栅区域。控制栅区域和体区域的掺杂用以在电介质层的上面和下面形成轻掺杂区域，从而定义了器件(16)的有源区域。有利的是，在该有源器件区域中光电场基本与自由载流子浓度区域一致。从而调制信号的应用引起电介质层两侧的自由载流子同时积累，耗尽或者反型，产生高速的工作。

主权项

1.硅基电光器件，包括：掺杂表现出第一导电性类型的相对较薄的硅体区域；掺杂表现出第二导电性类型的相对较薄的硅栅区域，硅栅区域放置为至少部分在硅体区域上来定义所述硅体区域和栅区域之间的接触区域；放置在所述硅体区域和栅区域之间的接触区域的相对较薄的电介质层，所述硅体区域和栅区域与插入的相对较薄的电介质层的结合定义了电光器件的有源区域；耦合到所述硅栅区域的第一电接触；以及耦合到所述硅体区域的第二电接触，其中基于加到第一和第二电接触的电信号的应用，在硅体和栅区域内相对较薄的电介质层两侧的自由载流子同时积累，耗尽或者反型，从而所述光信号的光电场与所述电光器件有源区域内的自由载流子浓度调制区域基本重合。