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发明名称 Method for forming openings in low-k dielectric layers
摘要
申请公布号 SG120976(A1) 申请公布日期 2006.04.26
申请号 SG20040000606 申请日期 2004.02.11
申请人 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD 发明人 BAO TIEN-I;JANG SYUN-MING;LI LIH-PING
分类号 (IPC1-7):H01L21/44 主分类号 (IPC1-7):H01L21/44
代理机构 代理人
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