发明名称 PROGRAMMING OF A MEMORY WITH DISCRETE CHARGE STORAGE ELEMENTS
摘要
申请公布号 EP1649469(A1) 申请公布日期 2006.04.26
申请号 EP20040778108 申请日期 2004.07.13
申请人 FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC. 发明人 PRINZ, ERWIN, J.;CHINDALORE, GOWRISHANKAR, L.
分类号 G11C11/34;G11C16/00;G11C16/04;G11C16/10;G11C16/34;H01L21/28;(IPC1-7):G11C16/04 主分类号 G11C11/34
代理机构 代理人
主权项
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