| 发明名称 | 半导体激光器高频封装用具有微带结构的热沉 | ||
| 摘要 | 一种半导体激光器高频封装用的具有微带结构的热沉，其特征在于，其中包括：一热沉衬底；一地电极，该地电极蒸镀在热沉衬底的上表面；一电介质夹层，该电介质夹层制作在地电极上表面的一侧端；两金属导体条，该两金属导体条制作在电介质夹层的两侧，两金属导体条之间与地电极形成的凹槽被电介质夹层填充；一信号电极，该信号电极制作在电介质夹层的上表面；信号电极、金属导体条和地电极形成背地共面微带结构；一芯片，该芯片固定在地电极上表面的另一侧端，该芯片用导电金丝与信号电极连接。 | ||
| 申请公布号 | CN1764026A | 申请公布日期 | 2006.04.26 |
| 申请号 | CN200410083868.9 | 申请日期 | 2004.10.20 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 张尚剑;祝宁华 |
| 分类号 | H01S5/024(2006.01);H05K7/20(2006.01) | 主分类号 | H01S5/024(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 1、一种半导体激光器高频封装用的具有微带结构的热沉，其特征在于，其中包括：一热沉衬底；一地电极，该地电极蒸镀在热沉衬底的上表面；一电介质夹层，该电介质夹层制作在地电极上表面的一侧端；两金属导体条，该两金属导体条制作在电介质夹层的两侧，两金属导体条之间与地电极形成的凹槽被电介质夹层填充；一信号电极，该信号电极制作在电介质夹层的上表面；信号电极、金属导体条和地电极形成背地共面微带结构；一芯片，该芯片固定在地电极上表面的另一侧端，该芯片用导电金丝与信号电极连接。 | ||
| 地址 | 100083北京市海淀区清华东路甲35号 | ||