| 发明名称 | 烃一级C－H键的选择性的、催化的和热诱导的官能化反应 | ||
| 摘要 | 一种在一级C-H烃键处选择性官能化脂肪族烃和/或烷基支化的脂环烃的方法，包括在催化剂的存在下，使官能化试剂和烃发生热致反应，所述催化剂包括：a)过渡金属源；b)3～8，环状或非环状的，芳族或非芳族的，中性、阳离子或阴离子的、取代或非取代的电子给体片断的源，它在热反应条件下不会离解，其中所述片断：(i)在直接键合到过渡金属上的片断上，缺少芳族C-H键，或(ii)在直接键合到过渡金属上的片断上，含有空间位阻的芳族C-H键；和c)能形式上给予过渡金属a)电子对的配体源，它热离解；并且其中所述官能化试剂包括硼源。 | ||
| 申请公布号 | CN1253459C | 申请公布日期 | 2006.04.26 |
| 申请号 | CN01807302.6 | 申请日期 | 2001.03.01 |
| 申请人 | 国际壳牌研究有限公司;耶鲁大学 | 发明人 | 陈惠远;J·F·哈特威格;T·C·赛姆普 |
| 分类号 | C07F5/02(2006.01);C07B47/00(2006.01);B01J31/22(2006.01) | 主分类号 | C07F5/02(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 郭建新 |
| 主权项 | 1.一种在一级C-H烃键处选择性官能化脂肪族烃和/或烷基支化的脂环烃的方法，包括在催化剂的存在下，使官能化试剂和烃热致反应，所述催化剂包括：a)过渡金属源；b)3～8的，环状或非环状的，芳族或非芳族的中性、阳离子或阴离子的、取代或非取代的电子给体片断的源，它在热反应条件下不会离解，其中所述片断：(i)在直接键合到过渡金属上的片断上，缺少芳族C-H键，或(ii)在直接键合到过渡金属上的片断上，含有空间位阻的芳族C-H键；和c)能形式上给予过渡金属a)电子对的配体源，它热离解；并且其中所述官能化试剂包含硼源。 | ||
| 地址 | 荷兰海牙 | ||