发明名称 利用无电膜沉积形成平坦化Cu互连层的方法和设备
摘要 在包括窄和宽构造的衬底上形成平坦化导电材料。导电材料通过一系列沉积过程形成。第一沉积过程形成导电材料的第一层,填充窄构造,并且至少部分填充宽构造。第二沉积过程在第一层的空腔内形成导电材料的第二层。柔性材料可以减少衬底上第一层的厚度,同时将溶液递送到空腔中以在其中形成第二层。柔性材料可以是与充满所述溶液的可加压容器相连的多孔膜。柔性材料也可以是使用所述溶液润湿的多孔性材料。
申请公布号 CN1765015A 申请公布日期 2006.04.26
申请号 CN200480007928.7 申请日期 2004.03.23
申请人 兰姆研究公司 发明人 弗雷德·C·雷德克;约翰·博伊德
分类号 H01L21/768(2006.01);H01L21/288(2006.01) 主分类号 H01L21/768(2006.01)
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人 顾晋伟;刘继富
主权项 1.用于制造平坦化表面的方法,包括:提供具有限定于其中的窄构造和宽构造的衬底;在衬底上形成第一层,所述第一层填充窄构造,至少部分填充宽构造,和具有限定于其中并沿宽构造排列的空腔;平坦化第一层的同时在空腔内形成第二层;和一起平坦化第一和第二层。
地址 美国加利福尼亚州