| 发明名称 | 排气的处理方法和处理装置 | ||
| 摘要 | 本发明的课题在于针对从半导体制造工序排出的包含卤素类气体的排气的净化处理，提供不频繁地将净化剂更新、即使对包含反应性较高的气体的干燥排气进行处理的情况下仍没有火灾的危险性、可容易使处理后的气体中的卤素类气体浓度降低的处理方法和处理装置。该方法由在吸附剂中添加卤素类气体吸收液的步骤(A)，与使从半导体制造工序排出的包含卤素类气体的排气与上述吸附剂接触的步骤(B)构成，从该排气中去除该卤素类气体。另外，该处理装置至少包括具有卤素类气体的排气的导入口、吸附剂的填充部、将卤素类气体吸收液添加于该吸附剂的填充部中的机构，以及进行了处理的气体的排出口。 | ||
| 申请公布号 | CN1762548A | 申请公布日期 | 2006.04.26 |
| 申请号 | CN200510105170.7 | 申请日期 | 2005.09.28 |
| 申请人 | 日本派欧尼株式会社 | 发明人 | 岛田孝;武政登;越智幸史 |
| 分类号 | B01D53/04(2006.01);B01D53/68(2006.01) | 主分类号 | B01D53/04(2006.01) |
| 代理机构 | 北京三幸商标专利事务所 | 代理人 | 刘激扬 |
| 主权项 | 1.一种排气的处理方法，其特征在于该方法由在吸附剂中添加卤素类气体吸收液的步骤(A)，与使从半导体制造工序排出的包含卤素类气体的排气与上述吸附剂接触的步骤(B)构成，从该排气中去除该卤素类气体。 | ||
| 地址 | 日本国东京都 | ||