| 发明名称 | 利用FIB－CVD制造三维纳米结构的方法及绘制系统 | ||
| 摘要 | 提供一种利用FIB－CVD的纳米结构的制造方法及其绘制系统，该制造方法能够制造三维纳米结构、特别是例如阶梯结构或空心结构的没有支撑的结构。通过控制聚焦离子射束，以便基于多层结构的离散绘制数据确定射束辐射位置或时间来制造三维纳米结构，其中多层结构的绘制数据是通过计算在电子计算机设计的三维纳米结构模型的垂直方向上分割的剖面形状而产生的。 | ||
| 申请公布号 | CN1764596A | 申请公布日期 | 2006.04.26 |
| 申请号 | CN200480008123.4 | 申请日期 | 2004.02.16 |
| 申请人 | 独立行政法人科学技术振兴机构 | 发明人 | 星野隆行;松井真二;近藤和茂 |
| 分类号 | B81C1/00(2006.01);B82B3/00(2006.01);H01J37/317(2006.01);C23C16/48(2006.01) | 主分类号 | B81C1/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 张浩 |
| 主权项 | 1.一种利用FIB-CVD制造三维纳米结构的方法，其中控制聚焦离子射束，以便基于多层结构的离散绘制数据来确定射束辐射位置或时间，其中多层结构的离散绘制数据是通过计算在使用电子计算机设计的三维纳米结构模型的垂直方向上分割的剖面形状而产生的。 | ||
| 地址 | 日本埼玉县 | ||