| 发明名称 | 发光元件 | ||
| 摘要 | 本发明的发光元件在表面上形成纳米尺寸大小的凸凹结构，由此改善了发光效率特性。本发明发光元件表面的凸凹结构具有如下所示的形状，由整体形成的折射率呈平滑的变化。即(1)凸凹结构的平均直径比光波长小。(2)凸凹间距呈不规则变化。(3)由于折射率是平滑倾斜的，凸凹结构的高度和底面位置具有光波长以下平均值的大小。由此，可以使发光元件等实现较高的发光效率特性。 | ||
| 申请公布号 | CN1763983A | 申请公布日期 | 2006.04.26 |
| 申请号 | CN200510106305.1 | 申请日期 | 2002.12.27 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 浅川钢儿;藤本明;杉山仁;大桥健一;铃木启之;户野谷纯一 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 陈昕 |
| 主权项 | 1.一种发光元件，在构成该发光元件的半导体层的发光侧的最外层表面或者该发光侧最外层之上形成的无机透光层表面施加了微细的凸凹结构，其特征在于该表面具有符合以下2个条件(1)、(2)的表面性能：(1)凸凹结构中凸部的平均旋转半径<R>为光波长的1/20以上1/2以下，其中<R>＝σR2nR/σRnR、nR为具有任意平均旋转半径R的凸部的个数，而且，该旋转半径的分散度σR(其中σR＝<R>/(σRnR/σnR)、nR为具有任意平均旋转半径R的凸部的个数)为1.05以上2以下。(2)凸凹结构中凸部的平均高度<H>(其中<H>＝σH2nH/σHnH，nR 为具有任意高度的凸部个数)为光波长的1/10以上1以下，该高度的分散度σH(其中σH＝<H>/(σHnH/σnH)、nR为具有任意高度的凸部个数)为1.05以上2以下。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||