发明名称 梯度孔冷却和射频屏蔽件
摘要 一种用于成像一体积(20)的磁共振成像(MRI)设备(200)包括用于产生磁场的主磁体,被形成在沿轴延伸的管中的绝缘体片(140),被放置在限定该管的外表面,用于操作由该主磁场产生的磁场以成像该体积(20)的梯度线圈(50),以及被放置在该梯度线圈(50)和RF线圈(72)之间的冷却回路(302)。该冷却回路(302)被放置在限定该管的相对内表面,其中该冷却回路(302)屏蔽该梯度线圈(50)免受该RF线圈(72)的影响同时冷却该梯度线圈(50)。
申请公布号 CN1763558A 申请公布日期 2006.04.26
申请号 CN200510108692.2 申请日期 2005.10.20
申请人 通用电气公司 发明人 C·M·西雷尔
分类号 G01R33/32(2006.01);G01R33/38(2006.01);G01R33/385(2006.01);G01R33/42(2006.01) 主分类号 G01R33/32(2006.01)
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 肖春京
主权项 1、一种用于成像一体积(20)的磁共振成像(MRI)设备(200),其包括:用于产生磁场的主磁体;被形成在沿轴向延伸的管中的绝缘体片(140);梯度线圈(50),其用于操作由所述主磁场产生的磁场以成像所述体积(20),所述梯度线圈(50)被放置在限定所述管的外表面;以及冷却回路(302),其被放置在所述梯度线圈(50)和RF线圈(72)之间,所述冷却回路(302)被放置在限定所述管的相对内表面,其中所述冷却回路(302)屏蔽所述梯度线圈(50)免受所述RF线圈(72)的影响同时冷却所述梯度线圈(50)。
地址 美国纽约州