| 发明名称 | 三甲基镓、其制造方法以及从该三甲基镓成长的氮化镓薄膜 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种三甲基镓以及一种制造该三甲基镓的方法。该三甲基镓具有小于0.1ppm的总有机硅化合物含量；且该方法包括：水解作为原材料的三甲基铝；以一溶剂萃取所含有的有机硅化合物；藉由气相色谱－质谱法对甲基三乙基硅烷进行定量；选择具有小于0.5ppm甲基三乙基硅烷含量的三甲基铝作为原材料；藉由蒸馏进行提纯；接着与氯化镓反应；并且随后蒸馏反应物溶液以获得三甲基镓。 | ||
| 申请公布号 | CN1763049A | 申请公布日期 | 2006.04.26 |
| 申请号 | CN200510108383.5 | 申请日期 | 2005.10.13 |
| 申请人 | 住友化学株式会社 | 发明人 | 松原政信;岛田健;西川直宏;门田阳一 |
| 分类号 | C07F5/00(2006.01);H01L21/20(2006.01) | 主分类号 | C07F5/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 寿宁;张华辉 |
| 主权项 | 1、一种三甲基镓，其特征在于其具有小于0.1ppm的总有机硅化合物含量。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||