半导体器件及其制造方法

摘要

一种半导体器件，包括第1导电型的半导体衬底；形成于半导体衬底上的第1导电型的半导体区域；栅电极，其至少一部分位于选择地形成于半导体区域的一部分中的沟槽内，而且其延长的上端部分经台阶部分形成为宽幅；栅极绝缘膜，沿沟槽的壁面，形成于与栅电极之间；第2导电型基层，设置成在半导体区域上隔着所述栅极绝缘膜包围除沟槽底部以外的侧壁；第1导电型源区，邻接于栅极绝缘膜，形成于基层的上面附近的沟槽的外侧；和绝缘膜，形成于栅电极的从沟槽延伸后经台阶部分宽度形成为比沟槽内的宽度宽的上端部分的下面与源区的上面之间的至少一部分，而且其膜厚比沟槽内的栅极绝缘膜的膜厚厚。

主权项

1、一种半导体器件，包括第1导电型的导体衬底；形成于所述半导体衬底上的第1导电型的半导体区域；栅电极，其至少一部分位于选择地形成于所述半导体区域的一部分中的沟槽内，而且其延长的上端部分经台阶部分形成为宽幅；栅极绝缘膜，沿所述沟槽的壁面，形成于所述壁面与所述栅电极之间；第2导电型基层，设置成在所述半导体区域上隔着所述栅极绝缘膜包围除所述沟槽底部以外的侧壁；第1导电型源区，邻接于所述栅极绝缘膜，形成于所述基层的上面附近的所述沟槽的外侧；和绝缘膜，形成于所述栅电极的从所述沟槽延伸后经台阶部分形成为宽度比所述沟槽内的宽度宽的所述上端部分的下面与所述源区的上面之间的至少一部分，而且其膜厚比所述沟槽内的所述栅极绝缘膜的膜厚厚。