| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供一种含Al金属膜上的抗反射膜和导电栓塞之间的接触性能优异的半导体器件以及导电栓塞，具有良好的制造稳定性。该半导体器件包括半导体衬底、绝缘中间层(101)以及多层结构。绝缘中间层(101)形成在半导体衬底的上部分中。多层结构设置在绝缘中间层(101)上。在多层结构上顺序地形成Ti膜(105)、TiN膜(107)、AlCu膜(109)、Ti膜(111)、TiN膜(113)以及刻蚀调整膜(115)。该半导体器件包括绝缘中间层(103)和导电栓塞。绝缘中间层(103)设置在绝缘中间层(101)和多层结构上。导电栓塞贯穿绝缘中间层(103)和刻蚀调整膜(115)，以及导电栓塞的端面位于TiN膜(113)中。导电栓塞包括Ti膜(117)、TiN膜(119)和W膜(121)。 | ||
| 申请公布号 | CN1763944A | 申请公布日期 | 2006.04.26 |
| 申请号 | CN200510113360.3 | 申请日期 | 2005.09.28 |
| 申请人 | 恩益禧电子股份有限公司 | 发明人 | 盛一正成;小西纲一 |
| 分类号 | H01L23/52(2006.01);H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L23/52(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 穆德骏;陆锦华 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括：半导体衬底；设置所述半导体衬底的上部分中的多层结构，其中顺序地叠层含铝的金属膜、抗反射膜和刻蚀调整膜；设置在所述多层结构上的绝缘中间层；以及贯穿所述绝缘中间层和所述刻蚀调整膜的导电栓塞，导电栓塞的端面位于所述抗反射膜中。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||