半导体集成装置

摘要

一种可控硅整流器型ESD保护元件，抑制了电流密度的偏在，使得静电保护电路的面积更小。在半导体衬底的表面上形成了n型阱(11)和夹隔n型阱(11)而分别与其相对、接近的p型阱(12a、12b)。还有，在p型阱(12a)的表面上形成了高浓度n型区域(15a)，在p型阱(12b)的表面上形成了高浓度n型区域(15b)，分别接地。再有，与高浓度n型区域(15a)相对而在n型阱(11)的表面上形成了高浓度p型区域(14a)，与高浓度n型区域(15b)相对而在n型阱(11)的表面上形成了高浓度p型区域(14b)，分别与I/O焊盘连接。并且，被高浓度p型区域(14a)和高浓度p型区域(14b)夹着而在n型阱(11)的表面上形成了高浓度n型区域(13)，与触发元件连接。施加在I/O焊盘上的冲击通过左右的SCR构造而向接地端子释放。

主权项

1.一种半导体集成装置，包括在半导体衬底上构成的静电保护电路，其特征在于，所述静电保护电路具有：在所述半导体衬底的表面上形成的第1导电型阱；在所述半导体衬底的表面上夹介所述第1导电型阱，分别与其相对、接近而形成的第1第2导电型阱及第2第2导电型阱；在所述第1第2导电型阱的表面上形成的第1高浓度第1导电型区域；在所述第2第2导电型阱的表面上形成的第2高浓度第1导电型区域；与所述第1高浓度第1导电型区域相对，在所述第1导电型阱的表面上形成的第1高浓度第2导电型区域；与所述第2高浓度第1导电型区域相对，在所述第1导电型阱的表面上形成的第2高浓度第2导电型区域；被所述第1高浓度第2导电型区域和所述第2高浓度第2导电型区域夹着，在所述第1导电型阱的表面上形成的第3高浓度第1导电型区域；以及具有2端子，在该2端子间施加一定值以上的电压的话，电流就会流通的触发元件，所述第1高浓度第2导电型区域和所述第2高浓度第2导电型区域与I/O焊盘连接，所述触发元件的一方端子通过布线而与所述第3高浓度第1导电型区域连接，并且另一方端子与基准电压端子连接，所述第1高浓度第1导电型区域和所述第2高浓度第1导电型区域与所述基准电压端子连接。