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经营范围
发明名称
LEAKAGE CURRENT CONTROL DEVICE OF SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE
摘要
申请公布号
KR20060035235(A)
申请公布日期
2006.04.26
申请号
KR20040084639
申请日期
2004.10.22
申请人
HYNIX SEMICONDUCTOR INC.
发明人
XI, SUNG SOO;JANG, CHAE KYU;JEONG, HOE KWON
分类号
G11C7/12
主分类号
G11C7/12
代理机构
代理人
主权项
地址
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