发明名称 低温叠层共烧的介电陶瓷和铁氧体及其制备方法
摘要 本发明涉及低温叠层共烧的介电陶瓷和铁氧体及其制备方法,本发明介电陶瓷材料和铁氧体材料的基本组分及其制备方法,详见说明书。本发明的优点是制备工艺简便,低温烧结,无分层开裂,无翘曲变形。具有良好结合界面的PNN基陶瓷和NiZnCu铁氧体叠层共烧体,减少了氧化铅的挥发,减轻了对环境的污染,降低成本。本发明产品用于制作EMI片式多层LC滤波器,以及其它复合型片式电子元器件。
申请公布号 CN1253408C 申请公布日期 2006.04.26
申请号 CN200310115025.8 申请日期 2003.11.20
申请人 西安中天科技有限责任公司 发明人 田长生;高峰;杨祖培;王文斌;宋宏健;韩瀛;李伟斌
分类号 C04B35/462(2006.01);C04B35/499(2006.01);C04B35/26(2006.01);C04B35/622(2006.01);H01L41/187(2006.01);H01B3/12(2006.01) 主分类号 C04B35/462(2006.01)
代理机构 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 代理人 何文彬
主权项 1、低温叠层共烧的介电陶瓷和铁氧体,其特征在于:介电材料的组分为:Pb1-x1Srx1(Ni1/3Nb2/3)1-y1 Tiy1O3+q1MnO2+q2ZnO+q3WO3+q4BaO+q5CuO,其中:0.05≤x1≤0.20 0≤y1≤0.400.005≤q1≤0.01 0<q2≤0.010.01<q3≤0.04 0<q4≤0.010≤q5≤0.01铁氧体材料的组分为:(Nix2Zny2Cuz)FeuO4+q6Bi2O3+q7Co2O3+q8MnO2,其中:0.50≤x2≤0.90 0.05≤y2≤0.400.05≤z≤0.30 1.80≤u≤2.200.005≤q6≤0.05 0<q7≤0.040≤q8≤0.04其中,系数q1,q2,q3,q4,q5,q6,q7,q8均为摩尔比。
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