| 主权项 |
1.一种检测晶片(Die)之方法,该晶片包含一基底( Substrate)、一导电垫(Pad)、一第一保护层、一重布 层(UBM Runner)、一第二保护层、一球下金属层(UBM) 及一导电凸块(Bump),该检测方法包括: 移除该导电凸块; 移除该球下金属层;以及 进行电性测试。 2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该移除该 导电凸块之步骤中,系利用硫酸(H2SO4)以进行蚀刻 移除。 3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该球下金 属层包含镍钒合金。 4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该移除该 球下金属层之步骤中,系利用硫酸(H2SO4)及磷酸(H3PO 4)以进行蚀刻移除。 5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该重布层 系包含一第一重布层与一第二重布层。 6.如申请专利范围第5项所述之方法,其中该第一重 布层包含钛。 7.如申请专利范围第5项所述之方法,其中该第二重 布层包含铝、镍钒合金及铜。 8.如申请专利范围第5项所述之方法,其中该进行电 性测试之步骤系测试该导电垫与该第一重布层是 否导通。 9.如申请专利范围第5项所述之方法,其中更包含: 移除该第二保护层; 移除该第一重布层;以及 进行电性测试。 10.如申请专利范围第9项所述之方法,其中在移除 该第二保护层之步骤中,系以电浆技术去除。 11.如申请专利范围第10项所述之方法,其中再以电 浆技术去除第二保护层之后,系以去离子水清洗。 12.如申请专利范围第9项所述之方法,其中该移除 该第一重布层之步骤中,系利用氢氟酸(HF)以进行 蚀刻移除。 13.如申请专利范围第9项所述之方法,其中该进行 电性测试之步骤系测试该导电垫与该第二重布层 是否导通。 14.如申请专利范围第9项所述之方法,其中更包含: 移除该第二重布层;以及 测试该导电垫之电气特性。 15.如申请专利范围第14项所述之方法,其中该移除 该第二重布层之步骤中,系利用硝酸(HNO3)及磷酸(H3 PO4)以进行蚀刻移除。 16.如申请专利范围第9项所述之方法,其中该测试 该导电垫之电气特性,系测试该导电垫之阻抗( Impedance)。 17.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该导电 凸块系为一锡铅凸块。 图式简单说明: 第1图绘示晶片结构剖面图。 第2-5图绘示依照本发明之较佳实施例晶片检测方 法的示意图。 |
