| 主权项 |
1.一种电路基板之预焊料之形成方法,包括: 提供一电路基板,该电路基板包括一上表面及一下 表面,复数个上表面金属线路系形成于该上表面, 一上表面焊罩层系覆盖于部分之该些上表面金属 线路及部分之该上表面,并暴露出部分该些上表面 金属线路之复数个上表面焊点,且复数个下表面金 属线路系形成于该下表面,一下表面焊罩层系覆盖 于部分之该些下表面金属线路及部分之该下表面, 并暴露出部分该些下表面金属线路之复数个下表 面焊点; 形成一图案化之光阻层于该上表面,该图案化之光 阻层具有复数个开口以暴露出该些上表面焊点; 以印刷(printing)方式形成复数个金属材料于该些开 口中; 回焊(reflow)该些金属材料,以形成复数个预焊料(pre -solder)于该些上表面焊点;以及 移除该图案化之光阻层。 2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该形成一 图案化之光阻层于该上表面之步骤包括: 形成一光阻层于该上表面;以及 选择性移除该光阻层以形成复数个开口,该些开口 系对应于该些上表面焊点并暴露出该些上表面焊 点。 3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该移除该 光阻层之步骤系利用一有机溶液移除该光阻层。 4.如申请专利范围第3项所述之方法,其中该有机溶 液系为丙酮(acetone)、N-甲基咯烷酮(N-Methyl- Pyrolidinone, NMP)、二甲基亚(Dimethyl Sulfoxide, DMSO) 或氨基乙氧基乙醇((Aminoethoxy Ethanol)。 5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该移除该 光阻层之步骤系利用一无机溶液移除该光阻层。 6.如申请专利范围第5项所述之方法,其中该无机溶 液系包含硫酸和双氧水。 7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该移除该 光阻层之步骤系利用氧气或电浆以去除该光阻层 。 8.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该光阻层 系一乾膜。 9.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该光阻层 系一有机薄膜(organic film)。 10.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该金属 材料系含锡。 11.一种覆晶封装方法,包括步骤: 提供一电路基板,该电路基板包括一上表面及一下 表面,复数个上表面金属线路系形成于该上表面, 一上表面焊罩层系覆盖于部分之该些上表面金属 线路及部分之该上表面,并暴露出部分该些上表面 金属线路之复数个上表面焊点,且复数个下表面金 属线路系形成于该下表面,一下表面焊罩层系覆盖 于部分之该些下表面金属线路及部分之该下表面, 并暴露出部分该些下表面金属线路之复数个下表 面焊点; 形成一图案化之光阻层于该上表面,该图案化之光 阻层具有复数个开口以暴露出该些上表面焊点; 以印刷(printing)的方式形成复数个金属材料于该些 开口中; 回焊(reflow)该些金属材料,以形成复数个预焊料(pre -solder)于该些上表面焊点; 移除该图案化之光阻层; 将一晶片之复数个金属凸块对准该电路基板之该 些预焊料;以及 焊接该电路基板与该晶片。 12.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该形成 一图案化之光阻层于该上表面之步骤包括: 形成一光阻层于该上表面;以及 选择性移除该光阻层以形成复数个开口,该些开口 系对应于该些上表面焊点并暴露出该些上表面焊 点。 13.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该移除 该光阻层之步骤系利用一有机溶液移除该光阻层 。 14.如申请专利范围第13项所述之方法,其中该有机 溶液系丙酮(acetone)、N-甲基咯烷酮(N-Methyl- Pyrolidinone, NMP)、二甲基亚(Dimethyl Sulfoxide, DMSO) 或氨基乙氧基乙醇((Aminoethoxy Ethanol)。 15.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该移除 该光阻层之步骤系利用一无机溶液移除该光阻层 。 16.如申请专利范围第15项所述之方法,其中该无机 溶液系包含硫酸和双氧水。 17.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该移除 该光阻层之步骤系利用氧气或电浆以去除该光阻 层。 18.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该光阻 层系一乾膜。 19.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该光阻 层系一有机薄膜(organic film)。 20.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该金属 材料系含锡。 21.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该焊接 该电路基板与该晶片之步骤后包括填胶于该些晶 片与该电路基板之间。 图式简单说明: 第1图绘示传统电路基板形成预焊料时之移除模板 之示意图。 第2图绘示本发明一较佳实施例之覆晶封装方法的 流程图。 第3A-3G图绘示第2图之覆晶封装方法之示意图。 |
