| 主权项 |
1.一种电容器,至少包含: 一基材; 一第一电容器板层在该基材上,该第一电容器板层 包含水平地、分开的、且内连接的(interconnected)一 第一系列的齿状物(tines); 一第二电容器板层,藉由一电容器介电层以跟该第 一电容器板层分开,该第二电容器板层包含水平地 、分开的、且内连接的一第二系列的齿状物,该些 第二系列的齿状物被水平地叉合(horizontally interdigitated)于该些第一系列的齿状物之间,其中该 电容器介电层是一单一的、蜿蜒的、一致性的( conformal)介电层,且: 位在一第一齿状物的一顶表面(top surface)上; 位于该第一齿状物和一第二齿状物之间; 位于该第二齿状物的一底表面(bottom surface)的下方 ;以及 位于该第二齿状物和一另外的第一齿状物之间。 2.如申请专利范围第1项所述之电容器,其中该些第 一系列的齿状物与该些第二系列的齿状物系水平 地叉合,而非被垂直地叉合。 3.如申请专利范围第1项所述之电容器,其中该基材 是一半导体基材。 4.如申请专利范围第1项所述之电容器,其中该基材 是一陶器的(ceramic)基材。 5.如申请专利范围第1项所述之电容器,其中该电容 器介电层的厚度约20至约200埃。 6.如申请专利范围第1项所述之电容器,其中该第二 电容器板层也覆盖该些第一系列的齿状物之一系 列的顶表面。 7.一种制造一电容器的方法,至少包含: 提供一基材; 形成一第一电容器板层在该基材上,该第一电容器 板层包含水平地、分开的、且内连接的一第一系 列的齿状物,该些第一系列的齿状物定义出一系列 的孔隙(apertures); 形成一一致性的(conformal)电容器介电层在被图案 化的该第一电容器板层上,该一致性的电容器介电 层未完全地填充该系列的孔隙;以及 形成一第二电容器板层在该电容器介电层上,且完 全地填充该系列的孔隙,以形成水平地、分开的、 且内连接的一第二系列的齿状物,其中该些第二系 列的齿状物被水平地叉合于该些第一系列的齿状 物之间。 8.如申请专利范围第7项所述之方法,其中该基材是 一半导体基材。 9.如申请专利范围第7项所述之方法,其中该系列的 孔隙是由最小的光微影可解析的(photolithographically resolvable)孔隙宽度所构成。 10.如申请专利范围第7项所述之方法,其中该一致 性的电容器介电层的厚度约20至约200埃。 11.如申请专利范围第7项所述之方法,其中该些第 二系列的齿状物被形成为自对准的(self-aligned),关 于该些第一系列的齿状物而言。 12.如申请专利范围第7项所述之方法,其中该些第 一系列的齿状物与该些第二系列的齿状物被水平 地叉合,而非被垂直地叉合。 13.如申请专利范围第7项所述之方法,其中该第二 电容器板层也覆盖该些第一系列的齿状物之一系 列的顶表面。 14.一种制造一电容器的方法,至少包含: 提供一基材; 形成一第一电容器板层在该基材上,该第一电容器 板层包含水平地分开的且内连接的一第一系列的 齿状物,该些第一系列的齿状物定义出一系列的孔 隙; 形成一一致性的(conformal)电容器介电层在被图案 化的该第一电容器板层上,该一致性的电容器介电 层未完全地填充该系列的孔隙; 形成一第二电容器板层在该电容器介电层上,且完 全地填充该系列的孔隙,以形成水平地分开的且内 连接的一第二系列的齿状物,其中该些第二系列的 齿状物被水平地叉合于该些第一系列的齿状物之 间;以及 平坦化该第二电容器板层。 15.如申请专利范围第14项所述之方法,其中该基材 是一半导体基材。 16.如申请专利范围第14项所述之方法,其中该系列 的孔隙是由最小的光微影可解析的孔隙宽度所构 成。 17.如申请专利范围第14项所述之方法,其中该一致 性的电容器介电层的厚度约20至约200埃。 18.如申请专利范围第14项所述之方法,其中该些第 一系列的齿状物与该些第二系列的齿状物被形成 为自对准的(self-aligned)。 19.如申请专利范围第14项所述之方法,其中该些第 一系列的齿状物与该些第二系列的齿状物被水平 地叉合,而非被垂直地叉合。 20.如申请专利范围第14项所述之方法,其中该第二 电容器板层也覆盖该些第一系列的齿状物之一系 列的顶表面。 图式简单说明: 第1-5图显示一系列之图解的截面图,其绘示在制造 依据本发明的一第一较佳实施例的一电容器结构 中逐渐进展的阶段之结果。 第6图显示相应于第5图的一图解的平面视图。 第7-11图显示一系列之图解的截面图,其绘示在制 造依据本发明的一第二较佳实施例的一电容器结 构中逐渐进展的阶段之结果。 第12图显示相应于第11图的一图解的透视图。 |
