| 主权项 |
1.一种双平面式有机电致发光装置,包括: 一第一基板,具有一第一区域与一第二区域,其中 该第二区域位于相对于该第一区域之周边区域; 复数个薄膜电晶体,乃形成在该第一区域; 复数个垫部件(pad parts),乃形成在该第二区域; 一第二基板,乃以一预定空间附加于该第一基板, 且该第二基板与该第一区域重叠及曝露出该第一 基板的第二区域; 一第一电极、一有机电激发光层以及一第二电极, 其中该第二电极形成在与该第一基板面对的该第 二基板之一表面上; 一第一电性连接图案(pattern),乃连结于具有第二电 极的该薄膜电晶体; 一第二电性连接图案,乃连结于具有该第一电极的 该垫部件之一; 一密封图案,乃设置在该第一及第二基板的边缘上 ;以及 一第一备用间隔体(dummy spacer),乃设置在该第一区 域及该密封图案的一影像显示区之间。 2.如申请专利范围第1项所述之双平面式有机电致 发光装置,其中该第一和第二电性连接图案包括相 同的材料。 3.如申请专利范围第1项所述之双平面式有机电致 发光装置,其中该第一电性连接图案和第二电性连 接图案以及该第一备用间隔体皆包括相同的材料 。 4.如申请专利范围第1项所述之双平面式有机电致 发光装置,其中该第一及第二电性连接图案皆由同 一种制程所形成。 5.如申请专利范围第1项所述之双平面式有机电致 发光装置,其中该第一及第二电性连接图案以及第 一备用间隔体皆由同一种制程所形成。 6.如申请专利范围第1项所述之双平面式有机电致 发光装置,其中该第一区域包括相对于该影像显示 区的一第一副分区以及相对于该影像显示区与在 该密封图案所形成的区域之间的一第二副分区,且 该第二电性连接图案及该第一备用间隔体形成在 该第二副分区。 7.如申请专利范围第6项所述之双平面式有机电致 发光装置,其中该第一电极形成在该第一副分区且 该第一电极之一端延伸过该第二副分区及在第二 副分区中该第一电极系连接于该第二电性连接图 案。 8.如申请专利范围第6项所述之双平面式有机电致 发光装置,进一步包括: 一第二备用间隔体,乃形成在该第二区域。 9.如申请专利范围第8项所述之双平面式有机电致 发光装置,其中该第二备用间隔体系形成在该密封 图案内,且该第二备用间隔体与该密封图案彼此插 置(interposing)。 10.如申请专利范围第1项所述之双平面式有机电致 发光装置,进一步包括: 一闸极线,乃沿着一第一方向而形成在该第一基板 上;以及 一资料线与一电源线,乃沿着一第二方向横越( crossing)于该闸极线而形成在该第一基板上,该第二 方向大体上垂直于该第一方向,其中该薄膜电晶体 包括形成在该闸极线与资料线的一横越点的一交 换式薄膜电晶体以及形成在该闸极线与该资料线 的一横越点的一驱动式薄膜电晶体。 11.如申请专利范围第10项所述之具双平面式有机 电致发光装置,其中该第二区包括四个侧壁及该垫 部件沿着这四个侧壁分别包括第一、第二、第三 和第四个垫(pad)。 12.如申请专利范围第11项所述之双平面式有机电 致发光装置,其中该第一垫部件系连接于该闸极线 ,该第二垫部件系连接于该资料线,该第三垫部件 系连接于该电源线以及该第四垫部件系接收一接 地电流。 13.如申请专利范围第1项所述之双平面式有机电致 发光装置,其中连接于该第二电性连接图案其中一 个垫,延伸过该第一区域,使得与该第二电性连接 图案连接,以及经由该第二电性连接图案,电气地 连接该第一电极。 14.一种制造双平面式有机电致发光装置之方法,包 括下列步骤: 在含有一第一区域及环绕在该第一区域之一第二 区域的一第一基板上形成复数个薄膜电晶体及复 数个垫,其中,该薄膜电晶体形成在该第一区域,该 垫形成在一第二区域; 在该第一基板上形成与该薄膜电晶体连接的一第 一电性连接图案; 在该第一区域形成复数个备用间隔体; 在一第二基板上形成一有机电致发光二极体元件; 以及 附加该第一基板及该第二基板,此乃在第一基板之 备用间隔体及第一电性连接图案面对该第二基板 之该有机电致发光二极体元件之方向进行,其中, 该有机电致发光二极体元件系连接该第一电性连 接图案,以及藉由该备用间隔体以维持于该第一基 板与该第二基板之间的一均匀间隙(uniform cell gap) 。 15.如申请专利范围第14项所述之制造双平面式有 机电致发光装置之方法,其所提及附加该第一基板 及第二基板的步骤,进一步包括:在该第一基板及 该第二基板之一的基板的特定位置(position)上形成 一密封图案,其中,此特定位置为相对应于该第一 基板及第二基板之间边界(boundary)。 16.如申请专利范围第14项所述之制造双平面式有 机电致发光装置之方法,进一步包括:形成与该些 垫之一相连接的一第二电性连接图案。 17.如申请专利范围第16项所述之制造双平面式有 机电致发光装置之方法,其中形成该第一电性连接 图案、形成该备用间隔体以及形成该第二电性连 接图案之步骤皆由同一种制程所形成。 18.如申请专利范围第16项所述之制造双平面式有 机电致发光装置之方法,其中该第一基板之该第一 区域包括相对应于一影像显示区之一第一副分区 及一第二副分区,及在该第一副分区形成的该第一 电性连接图案,及在该第二副分区形成的该第二电 性连接图案,以及在该第二副分区形成的该备用间 隔体。 19.如申请专利范围第14项所述之制造双平面式有 机电致发光装置之方法,其中在使用该备用间隔体 以维持该间隙下,该备用间隔体维持一区域之间隙 ,此乃不同于该第二电性连接图案。 20.如申请专利范围第14项所述之制造双平面式有 机电致发光装置之方法,其中附加第一及第二基板 的步骤,包括:对齐第一及第二基板,使得该第二基 板重叠于该第一基板之该第一区域及曝露出该第 一基板的第二区域。 21.如申请专利范围第14项所述之制造双平面式有 机电致发光装置之方法,其中该第一基板之该第一 区域,包括:相对应于一影像显示区之一第一副分 区及一第二副分区,及在相对应于该第一副分区之 该第二基板的区域形成该有机电致发光二极体元 件,以及在该第二副分区形成该备用间隔体。 22.如申请专利范围第14项所述之制造双平面式有 机电致发光装置之方法,其中形成该有机电致发光 二极体元件的步骤,包括:在该第二基板依序形成 的一第一电极、一有机电致发光层、以及一第二 电极。 23.如申请专利范围第22项所述之制造双平面式有 机电致发光装置之方法,其中附加该第一基板及第 二基板的步骤,包括:藉由该第二电极连接该第一 电性连接图案。 24.如申请专利范围第22项所述之制造双平面式有 机电致发光装置之方法,进一步包括:在该第一基 板之该第一区域内形成一第二电性连接图案,其中 ,附加该第一基板及第二基板的步骤,包括:藉由该 第一电极连接该第二电性连接图案。 25.如申请专利范围第22项所述之制造双平面式有 机电致发光装置之方法,其中形成垫之步骤,包括: 形成延伸至该第一区域之该些垫中之一。 26.如申请专利范围第25项所述之制造双平面式有 机电致发光装置之方法,进一步包括:在与垫(延伸 至该第一区域者)连接的该第一区域形成的一第二 电性连接图案,其中,附加该第一与第二基板之步 骤,包括:连接第一电极,其中经由该第二电性连接 图案使第一电极与延伸至该第一区域的垫相连接 。 27.如申请专利范围第14项所述之制造双平面式有 机电致发光装置之方法,进一步包括: 沿着一第一方向而在该第一基板形成一闸极线; 沿着横越(crossing)该闸极线的一第二方向在该第一 基板上形成一资料线及一电源线,而该第二方向大 体上垂直于该第一方向,其中,形成该薄膜电晶体 之步骤,包括:在该闸极线与该资料线的横越点形 成的一交换式薄膜电晶体,以及在该闸极线与该资 料线的横越点形成一驱动式薄膜电晶体。 28.如申请专利范围第27项所述之制造双平面式有 机电致发光装置之方法,其形成该闸极线之步骤及 形成该些垫之步骤包括同一种制程所制成。 29.一种双平面式有机电致发光装置,其包括: 一第一基板与一第二基板,乃以一预定空间而彼此 面对; 一影像显示区,乃包括矩阵状的复数个像素区,且 各像素区含有在该第一基板之一内部表面所形成 之一薄膜电晶体以及该第二基板之一内部表面所 形成之一有机电致发光二极体元件; 一第一电性连接图案,乃设置在该影像显示区之各 像素区内,且连接于具有机电致发光二极体元件之 薄膜电晶体; 一密封图案,乃形成在该第一基板与第二基板之边 缘; 复数个第一备用间隔体,乃形成在该影像显示区与 该密封图案之间的区域;以及 复数个第二备用间隔体,乃形成在该密封图案内。 30.如申请专利范围第29项所述之双平面式有机电 致发光装置,其中所形成的该第一及该第二备用间 隔体具有不同的密度。 31.如申请专利范围第30项所述之双平面式有机电 致发光装置,其中形成该第二备用间隔体之密度大 于形成该第一备用间隔体的。 32.如申请专利范围第29项所述之双平面式有机电 致发光装置,其中所形成该第一电性连接图案之密 度大于该第一及第二备用间隔体。 33.如申请专利范围第29项所述之双平面式有机电 致发光装置,其中由一密封材料所构成的该密封图 案不包含玻璃纤维(glass fiber)。 34.一种制造双平面式有机电致发光装置之方法,包 括 在一第一基板上且在各复数个副像素区内,形成具 有一交换元件之一阵列装置; 形成一电性连接图案而与该交换元件连接; 在一第二基板上形成一透明导电材料之一第一电 极; 在相对应于该副像素区的区域且在该第一电极上, 依序形成一有机电致发光层及一第二电极; 在该第一及该第二基板之一的边缘上形成一密封 图案; 在该第一基板及该第二基板的相互重叠及在一影 像显示区之周边的区域上,形成该第一备用间隔体 ; 在该密封图案内形成该第二备用间隔体;以及 附加该第一基板与该第二基板。 35.如申请专利范围第34项所述之制造双平面式有 机电致发光装置之方法,其中该所形成第一及该第 二备用间隔体具有不同的密度。 36.如申请专利范围第35项所述之制造双平面式有 机电致发光装置之方法,其中该所形成第二备用间 隔体之密度大于该第一备用间隔体。 37.如申请专利范围第34项所述之制造双平面式有 机电致发光装置之方法,其中由一密封材料所构成 的该密封图案不包含玻璃纤维。 图式简单说明: 第1图系为根据习知技术,描述一有机电致发光装 置之一单位像素区之示意图。 第2A图至第2C图该些图示系为根据习知技术,描述 一有机电致发光装置之图示。 第3图根据本发明之实施例,描述一种封胶双平面 式有机电致发光装置之侧视图。 第4A图根据本发明之另一实施例,描述一面板之平 面图。 第4B图为沿着在第4A图之面板之Ⅳc-Ⅳc之侧视图。 第五A至第5C图该些图系为根据本发明之另一实施 例而描述一种制造有机电致发光装置之方法之图 示。 第6图为根据本发明之另一实施例,为描述一双平 面式有机电致发光装置之平面图。 第7图系依据在第6图中之Ⅲ-Ⅲ'之侧视图。 第8图系根据本发明之另一实施例,为描述制造一 种有机电致发光装置之方法流程图。 |
