| 主权项 |
1.一种偏光片,包括按层堆叠之离型层、黏着层、 第一保护层、偏光基体、第二保护层,其中该偏光 片还包括设置于第二保护层上之抗反射层。 2.如申请专利范围第1项所述之偏光片,其中该抗反 射层包括按层堆叠之第一表层、第二表层、第三 表层、第四表层。 3.如申请专利范围第2项所述之偏光片,其中该第一 表层之厚度在1x10-8~2x10-8米之间。 4.如申请专利范围第2项所述之偏光片,其中该第二 表层之厚度在1.5 x10-8~3.5x10-8米之间。 5.如申请专利范围第2项所述之偏光片,其中该第三 表层之厚度在1x10-7~1.2x10-7米之间。 6.如申请专利范围第2项所述之偏光片,其中该第四 表层之厚度在7x10-8~9x10-8米之间。 7.如申请专利范围第2项所述之偏光片,其中该第一 表层与第三表层材料为Ta2O5、NbOx、TiO3、Ti3O5或MgF2 。 8.如申请专利范围第2项所述之偏光片,其中该第二 表层与第四表层材料为SiO2、Al2O3或SiNx。 9.如申请专利范围第1项所述之偏光片,其中该第一 保护层与第二保护层材料为三醋酸纤维素。 10.如申请专利范围第1项所述之偏光片,其中该偏 光基体材料为聚乙烯醇。 11.如申请专利范围第1项所述之偏光片,其中该偏 光基体之高分子之长轴与短轴之比在3:1~20:1之间 。 12.如申请专利范围第11项所述之偏光片,其中该偏 光基体之高分子之长轴与短轴之比为在5:1~10:1之 间。 13一种偏光片制程,包括按层堆叠形成离型层、黏 着层、第一保护层、偏光基体、第二保护层,及将 抗反射材料喷涂至第二保护层上形成抗反射层。 14.如申请专利范围第13项所述之偏光片制程,其中 该制程还包括在喷涂抗反射材料前对偏光片进行 抛光处理。 15.如申请专利范围第14项所述之偏光片制程,其中 该制程还包括在抛光处理后对偏光片进行紫外线 照射处理。 16.如申请专利范围第15项所述之偏光片制程,其中 该紫外线照射处理时间为10~60秒。 17.一种偏光片制造装置,包括复数滚轴装置、紫外 线照射处理装置及复数蒸镀镀膜装置,该复数滚轴 装置设置于偏光片两侧,该紫外线照射处理装置及 蒸镀镀膜装置均设置于该复数滚轴装置后。 18.如申请专利范围第17项所述之偏光片制造装置, 其中该复数滚轴装置还包括设置于其内之压电型 感应装置。 图式简单说明: 第一图系一种先前技术偏光片之结构示意图。 第二图系本发明偏光片之结构示意图。 第三图系本发明偏光片制造装置之示意图。 |
