| 主权项 |
1.一种传输线元件,形成于一积体电路晶片中,包括 : 复数金属层,每一该等金属层利用至少一介电层而 与一相邻金属层隔离; 一第一导电体,包括不同金属层之至少二传输线; 一第二导电体,包括不同金属层之至少二传输线, 该第一导电体之该等传输线及该第二导电体之该 等传输线之走向系彼此平行; 复数互连,沿着该等导电体而放置于预定位置,每 一该等互连分别该第一导电体之该等传输线间之 一电性连接及该第二导电体之该等传输线间之一 电性连接; 其中,该第一导电体之至少一传输线系边缘耦接至 该第二导电体之至少一传输线、并舷侧耦接至该 第二导电体之至少另一传输线。 2.如申请专利范围第1项所述之传输线元件,其中, 该第一导电体之至少一第二传输线系边缘耦接至 该第二导电体之至少一传输线、并舷侧耦接至该 第二导电体之至少另一传输线。 3.如申请专利范围第1项所述之传输线元件,其中, 该等互连之至少一互连系包括:穿透该至少一介电 层之一穿孔;由该等传输线之一传输线延伸之一第 一榫舌;以及由该等传输线之另一传输线延伸之一 第二榫舌。 4.如申请专利范围第1项所述之传输线元件,其中, 该第一导电体系包括二传输线,且该第二导电体系 包括二传输线。 5.如申请专利范围第1项所述之传输线元件,其中, 该第一导电体系包括三传输线,且该第二导电体系 包括三传输线。 6.如申请专利范围第5项所述之传输线元件,其包括 三金属层,每一该等金属层包括二传输线。 7.如申请专利范围第5项所述之传输线元件,其包括 三金属层,每一该等金属层包括三传输线。 8.如申请专利范围第1项所述之传输线元件,其包括 一第三导电体。 9.如申请专利范围第6项所述之传输线元件,其中, 每一该等第一、第二、第三导电体包括三传输线 。 10.如申请专利范围第1项所述之传输线元件,其中, 该等第一及第二导电体系呈螺旋状。 11.一种传输线元件,形成于一积体电路晶片中,包 括: 至少一第一金属层及一第二金属层,该等第一及第 二金属层系利用一第一介电层隔离; 至少一第一传输线及一第二传输线,形成于该第一 金属层中; 至少一第三传输线及一第四传输线,形成于该第二 金属层中,该第三传输线系位于该第一传输线下面 ,该第四传输线系位于该第二传输线下面,该等第 一、第二、第三、第四传输线之走向系彼此平行; 复数互连,沿着该等传输线而放置于预定位置,每 一该等互连包括该等第一及第四传输线间之一第 一电性连接及该等第二及第三传输线间之一第二 电性连接。 12.如申请专利范围第11项所述之传输线元件,其中, 该第一电性连接系包括: 一第一穿孔,穿透该介电层; 一第一榫舌,由该第一传输线延伸至该第一穿孔; 以及 一第二榫舌,由该第四传输线延伸至该第一穿孔。 13.如申请专利范围第12项所述之传输线元件,其中, 该第二电性连接系包括: 一第二穿孔,穿透该介电层; 一第三榫舌,由该第二传输线延伸至该第二穿孔; 以及 一第四榫舌,由该第三传输线延伸至该第二穿孔。 图式简单说明: 第1图系本发明的双线舷侧耦接及边缘耦接传输线 元件的俯视图。 第2A及2B图系第1图传输线元件的交叉区域中之上 面金属层的示意图。 第3图系第1图传输线元件的交叉区域中之下面金 属层的示意图。 第4图系第1图舷侧耦接及边缘耦接传输线元件的 剖面图。 第5A图系第1图传输线元件、沿着第3图5A-5A剖面的 示意图。 第5B图系第1图传输线元件、沿着第3图5B-5B剖面的 示意图。 第6A及6B图系本发明另一种双线传输线元件的剖面 图。 第7A至7G图系本发明传输线制造的各种变压器的电 路示意图。 第8图系本发明的三线舷侧耦接及边缘耦接传输线 元件的俯视图。 第9图系第8图三线舷侧耦接及边缘耦接传输线元 件的剖面图。 第10A至10C图系第8图传输线元件中之下面、中间、 上面金属层的俯视图。 第11图系第8图传输线元件中之互连的俯视合成图 。 第12A至12C图系第8图传输线元件中之互连的剖面图 。 第13及14图系第8图传输线元件中之交叉区域的俯 视图。 |
