| 主权项 |
1.一种形成一电子结构之方法,该方法包含下列步 骤: 提供一种基材,该基材有一金属板位于电介质层内 部,该金属板包括一种金属; 雷射钻孔一个盲开口贯穿电介质层以及部份贯穿 金属板,该雷射钻孔形成一金属凸部其系与部份金 属板一体成形,该金属凸部具有金属股线,因此各 金属股线包括该种金属以及至少一种得自电介质 层之组成元素;以及 蚀刻部份金属凸部而形成一种金属互锁结构,该结 构系与部份金属板一体成形且凸起入盲开口内部 。 2.如申请专利范围第1项之方法,其中该金属包括铜 ,以及其中该至少一种组成元素包括碳。 3.如申请专利范围第2项之方法,其中该至少一种组 成元素进一步包括矽。 4.如申请专利范围第1项之方法,其中该金属包括铜 ,其中该电介质层包括烯丙基化聚伸苯基醚以及其 中该至少一种组成元素包括碳。 5.如申请专利范围第1项之方法,其中该蚀刻采用之 蚀刻速率系依据金属凸部内部的局部组成作空间 变化,其中结果所得金属互锁结构包括具有弯曲几 何的分立金属纤维,其中各金属纤维有其本身独特 的组成,其包括选自金属、电介质层之至少一种组 成元素及其组合组成的组群之材料。 6.如申请专利范围第1项之方法,其进一步包含藉一 种方法形成导电材料镀层于盲开口上,该方法包含 : 形成一第一导电层于盲开口之盲面上、于部份金 属互锁结构上、以及于部份盲开口侧壁上,其中该 第一导电层包括导电金属;以及 形成一第二导电层于第一导电层上,包括于金属互 锁结构上及内部,其中该第二导电层包括导电金属 。 7.如申请专利范围第6项之方法,其中该导电金属包 括金属。 8.如申请专利范围第6项之方法,其中该镀层并未填 补盲开口。 9.如申请专利范围第8项之方法,其中该经镀敷的盲 开口包括具有实质圆形截面之经镀敷的盲通孔。 10.如申请专利范围第6项之方法,其中该镀层系填 补盲开口且形成导电插塞。 11.如申请专利范围第10项之方法,其中该盲开口包 括一盲通道,因此该导电插塞包括一导电电路线路 。 12.如申请专利范围第10项之方法,其进一步包含去 除部份包围导电插塞侧壁之电介质层,因此暴露出 该导电插塞侧壁。 13.如申请专利范围第12项之方法,其中该去除系选 自化学蚀刻及雷射消蚀组成的组群。 14.如申请专利范围第6项之方法,其进一步包含导 电耦合电子装置至导电金属。 15.如申请专利范围第14项之方法,其中电子装置包 括半导体晶片。 16.如申请专利范围第1项之方法,其中雷射钻孔包 括输出雷射光,该雷射光具有: 波长为约260毫微米至约540毫微米; 平均功率为约0.01毫焦/脉冲至约0.10毫焦/脉冲; 时间脉冲宽度为约10毫微秒至约150毫微秒;以及 脉冲重复速率为约4千赫至约20千赫。 17.如申请专利范围第16项之方法,其中该盲开口包 括一个具有实质圆形截面之盲通孔,以及其中该雷 射钻孔系于圆形截面之外环以内,雷射脉冲之目标 圆具有目标直径系占圆形截面半径之约20%至约150% ,以及连续脉冲间之位移为约1微米至约25微米。 18.如申请专利范围第16项之方法,其中盲开口包括 盲通道其有一中线隔开第一雷射路径与第二雷射 路径,其中该雷射钻孔包括: 沿第一雷射路径作雷射钻孔,雷射脉冲目标圆具有 目标直径为盲通道宽度之约10%至约50%;以及 沿第二雷射路径作雷射钻孔,雷射脉冲目标圆具有 目标直径为盲通道宽度之约10%至约50%。 19.一种电子结构,包含: 一种基材,该基材有一金属板位于电介质层内部, 该金属板包括一种金属; 一个盲开口,其系贯穿该电介质层以及部份贯穿金 属板; 一种金属互锁结构,其系耦合至盲开口之盲面且凸 入盲开口内部,其中金属互锁结构系与部份金属板 一体成形,其中该金属互锁结构包括金属纤维,以 及其中各金属纤维具有弯曲几何以及有其本身之 独特组成,该组成包括选自该金属、至少一种电介 质层之组成元素、及其组合组成的组群之材料。 20.如申请专利范围第19项之电子结构,其中该金属 包括铜,以及其中该至少一种组成元素包括碳。 21.如申请专利范围第20项之电子结构,其中该至少 一种组成元素进一步包括矽。 22.如申请专利范围第19项之电子结构,其中该金属 包括铜,其中该电介质层包括烯丙基化聚伸苯基醚 以及其中该至少一种组成元素包括碳。 23.如申请专利范围第19项之电子结构,进一步包含 一镀层于盲面上、于金属互锁结构上及内部、以 及于盲开口侧壁上,其中该镀层包括一种导电金属 。 24.如申请专利范围第23项之电子结构,其中该导电 金属包括金属。 25.如申请专利范围第23项之电子结构,其中该镀层 并未填补盲开口。 26.如申请专利范围第25项之电子结构,其中该经镀 敷的盲开口包括具有实质圆形截面之经镀敷的盲 通孔。 27.如申请专利范围第23项之电子结构,其中该镀层 填补盲开口而形成导电插塞,其中该导电插塞具有 暴露高度H以及其中H≧0。 28.如申请专利范围第27项之电子结构,其中H>0。 29.如申请专利范围第27项之电子结构,其中H=0。 30.如申请专利范围第27项之电子结构,其中该盲开 口包括一盲通道,故该导电插塞包括一导电电路线 路。 31.如申请专利范围第23项之电子结构,其进一步包 含一种电子装置电导耦合至该导电金属。 32.如申请专利范围第31项之电子结构,其中该电子 装置包括一半导体晶片。 图式简单说明: 图1显示根据本发明之较佳具体实施例具有金属板 位于电介质层内部之基材之前视剖面图。 图2显示图1于雷射光已经钻孔入电介质层内部且 贯穿金属板的顶部而于基材内部形成一个盲开口 及一个金属凸部耦合至盲开口之部分盲面之后。 图3显示图2于金属凸部已经被蚀刻而形成金属互 锁结构之后。 图4显示图2基材之顶视图,其中盲开口包括一个盲 通孔。 图5显示图4于盲开口已经产生金属互锁结构之后 。 图6A、6B、6C及6D显示图4之金属互锁结构实际上缩 小俾便实施。 图7显示图2基材之顶视图,其中盲开口包括盲通道 。 图8显示图6于盲通道已经产生金属互锁结构之后 。 图9显示图2基材之顶视图,其中盲开口包括盲通路, 以及已经于盲通路产生金属互锁结构。 图10显示图3带有金属镀层覆盖的侧壁、盲开口之 盲面以及金属互锁结构。 图11显示图10带有金属镀层填补盲开口而形成金属 插塞。 图12显示图11,环绕金属插塞之电介质材料被去除 。 |
