| 主权项 |
1.一种有机发光装置,包括: 一基板,其具有一非发光区及一发光区; 一切换薄膜电晶体,设置于该基板之该非发光区上 ; 一绝缘层,设置于该基板上方并覆盖该切换薄膜电 晶体; 一有机发光二极体,设置于该发光区之该绝缘层上 方;以及 一电容,设置于该非发光区上方之该绝缘层上并与 该切换薄膜电晶体电性连接; 其中该有机发光二极体之一上电极与该电容之一 上电极系由同一导电层所定义而成。 2.如申请专利范围第1项所述之有机发光装置,其中 该有机发光二极体之该上电极与该电容之该上电 极系由连续的导电层所构成。 3.如申请专利范围第1项所述之有机发光装置,其中 该电容之该上电极为非透明导电层。 4.如申请专利范围第1项所述之有机发光装置,其中 该有机发光二极体之一下电极与该电容之一下电 极系由同一导电层所定义而成。 5.如申请专利范围第4项所述之有机发光装置,其中 该电容之该下电极为透明导电层。 6.如申请专利范围第1项所述之有机发光装置,更包 括一有机发光层,设置于该电容之该上电极下方。 7.如申请专利范围第6项所述之有机发光装置,其中 该电容之该上电极与下方的该有机发光层完全或 局部重叠。 8.如申请专利范围第1项所述之有机发光装置,其中 该电容设置于该切换电晶体上方之该绝缘层上。 9.一种有机发光装置之制造方法,包括下列步骤: 提供一基板,其具有一非发光区及一发光区; 于该基板之该非发光区上方形成一切换薄膜电晶 体; 于该基板上方形成一第一绝缘层,并覆盖该切换薄 膜电晶体; 分别于该非发光区及该发光区之该第一绝缘层上 形成一下电极,其中位于该非发光区之该下电极与 该切换薄膜电晶体电性连接; 在该第一绝缘层上方形成一第二绝缘层,以覆盖位 于非发光区之该下电极且露出位于该发光区之该 下电极; 于该发光区之该第二绝缘层上形成一有机发光层 以覆盖该露出的下电极;以及 分别于该非发光区之该第二绝缘层上及该发光区 之该有机发光层上形成一上电极,以在该非发光区 上方形成一电容且在该发光区上形成一有机发光 二极体。 10.如申请专利范围第9项所述之有机发光装置之制 造方法,其中该有机发光二极体之该上电极与该电 容之该上电极系由同一导电层所定义而成。 11.如申请专利范围第10项所述之有机发光装置之 制造方法,其中该电容之该上电极为非透明导电层 。 12.如申请专利范围第9项所述之有机发光装置之制 造方法,其中该有机发光二极体之该上电极与该电 容之该上电极系由连续的导电层所构成。 13.如申请专利范围第9项所述之有机发光装置之制 造方法,其中该有机发光二极体之该下电极与该电 容之该下电极系由同一导电层所定义而成。 14.如申请专利范围第13项所述之有机发光装置之 制造方法,其中该电容之该下电极为透明导电层。 15.如申请专利范围第9项所述之有机发光装置之制 造方法,更包括延伸该有机发光层至该电晶体区上 ,使其与该电容之该上电极完全或局部重叠。 16.如申请专利范围第9项所述之有机发光装置之制 造方法,其中位于该非发光区之该下电极系形成于 该切换电晶体上方。 图式简单说明: 第1图系绘示出传统主动式有机发光装置之一画素 之电路示意图。 第2图系绘示出传统有机发光装置之一画素之剖面 示意图。 第3A至3F图系绘示出根据本发明实施例之有机发光 装置之制造方法剖面示意图。 第3F-1图系绘示出根据本发明另一实施例之有机发 光显示装置之剖面示意图。 第4图系绘示出根据本发明实施例之主动式有机发 光装置之一画素之电路示意图。 |
