| 主权项 |
1.一种定流装置,其包含: 至少一硫属玻璃层;以及 至少一含金属层,该装置设定为以一定流模式操作 ,藉由横跨该等层之一所施加的第一电压,从而于 一所施加电压范围提供一实质上定流。 2.如申请专利范围第1项之结构,其中该至少一硫属 玻璃层系具有自约Ge18Se82至约Ge43Se57之一化学计量 比之一GexSe100-x层。 3.如申请专利范围第2项之结构,其中该至少一硫属 玻璃层具有约Ge40Se60之一化学计量比。 4.如申请专利范围第1项之结构,其中该至少一硫属 玻璃层系约150至约400厚。 5.如申请专利范围第4项之结构,其中该至少一硫属 玻璃层系约250厚。 6.如申请专利范围第1项之结构,其中该装置进一步 包含提供于该含金属层上之一第二硫属玻璃层,该 第二硫属玻璃层系约50至约500厚。 7.如申请专利范围第6项之结构,其中该第二硫属玻 璃层系约150厚。 8.如申请专利范围第1项之结构,其中该含金属层系 一硒化银层。 9.如申请专利范围第1项之结构,其中该含金属层系 含Ag之一硫属层。 10.如申请专利范围第9项之结构,其中该硫属层系 从由O、S、Se、Te及Po组成之群组中选取。 11.如申请专利范围第1项之结构,其中该含金属层 系约200至约2000厚。 12.如申请专利范围第11项之结构,其中该含金属层 系约600厚。 13.如申请专利范围第1项之结构,其中该所施加之 第一电压系明显更负于该装置之一抹除电位之一 脉冲。 14.如申请专利范围第13项之结构,其中在自约-800 mV 至约-2.0V之范围内施加该负脉冲。 15.如申请专利范围第14项之结构,其中在约8 ns至约 30 ns之一脉冲持续时间范围内施加该负脉冲。 16.如申请专利范围第1项之结构,其中该装置于至 少700 mV之一所施加电压范围保持一定流。 17.如申请专利范围第1项之结构,其中该装置进一 步包含至少一电极与一电压源。 18.一种定流源装置,其包含: 一第一与一第二硫属玻璃层;以及 一含金属层,其提供于该等第一与第二硫属玻璃层 之间,该等层具有一化学计量比与厚度而使得大于 该装置之一抹除电位的横跨该等层之一所施加负 脉冲使该装置以定流模式操作。 19.如申请专利范围第18项之装置,其中该等第一与 第二硫属玻璃层系具有自约Ge18Se82至约Ge43Se57之一 化学计量比之一GexSe100-x层。 20.如申请专利范围第19项之装置,其中该等硫属玻 璃层具有约Ge40Se60之一化学计量比。 21.如申请专利范围第18项之装置,其中该第一硫属 玻璃层系约150至约400厚。 22.如申请专利范围第21项之装置,其中该第一硫属 玻璃层系约250厚。 23.如申请专利范围第18项之装置,其中该第二硫属 玻璃层系约50至约500厚。 24.如申请专利范围第23项之装置,其中该第二硫属 玻璃层系约150厚。 25.如申请专利范围第18项之装置,其中该含金属层 系一硒化银层。 26.如申请专利范围第18项之装置,其中该含金属层 系含Ag之一硫属层。 27.如申请专利范围第26项之装置,其中该硫属层系 从由O、S、Se、Te及Po组成之群组中选取。 28.如申请专利范围第18项之装置,其中该含金属层 系约200约2000厚。 29.如申请专利范围第28项之装置,其中该含金属层 系约600厚。 30.如申请专利范围第18项之装置,其中在自约-800 mV 至约-2.0 V之范围内施加该负脉冲。 31.如申请专利范围第30项之装置,其中在约8 ns至约 30 ns之一脉冲持续时间范围内施加该负脉冲。 32.如申请专利范围第18项之装置,其中该装置于至 少700 mV之一所施加电压范围保持一定流。 33.如申请专利范围第18项之装置,其进一步包含至 少一电极与一电压源。 34.一种电流装置,其包含: 一第一导电层; 一硫属玻璃层,其提供于该第一导电层上; 一含金属层,其提供于该硫属玻璃层上; 一第二导电层,其提供于该含金属层上;以及 一预定幅度之一负脉冲,横跨该等第二及第一导电 层施加以使该装置以定流模式操作。 35.如申请专利范围第34项之装置,其中该硫属玻璃 层系具有自约Ge18Se82至约Ge43Se57之一化学计量比之 一GexSe100-x层。 36.如申请专利范围第35项之装置,其中该硫属玻璃 层具有约Ge40Se60之一化学计量比。 37.如申请专利范围第34项之装置,其中该硫属玻璃 层系约150至约400厚。 38.如申请专利范围第37项之装置,其中该硫属玻璃 层系约250厚。 39.如申请专利范围第34项之装置,其中该含金属层 系一硒化银层。 40.如申请专利范围第34项之装置,其中该含金属层 系包含Ag之一硫属层。 41.如申请专利范围第39项之装置,其中该硫属层系 从由O、S、Se、Te及Po组成之群组中选取。 42.如申请专利范围第34项之装置,其中该含金属层 系约200至约2000厚。 43.如申请专利范围第42项之装置,其中该含金属层 系约600厚。 44.如申请专利范围第34项之装置,其中该等第一及 第二导电层包含一导电材料,例如,钨、镍、钽、 氮化钽、铜、铝、铂、银或氮化钛之一或更多。 45.如申请专利范围第34项之装置,其中在自约-800 mV 至约-2.0 V之范围内施加该负脉冲。 46.如申请专利范围第45项之装置,其中在约8 ns至约 30 ns之一脉冲持续时间范围内施加该负脉冲。 47.如申请专利范围第34项之装置,其进一步包含提 供于该含金属层上之一第二硫属玻璃层。 48.如申请专利范围第47项之装置,其中该第二硫属 玻璃层系具有自约Ge18Se82至约Ge43Se57之一化学计量 比之一GexSe100-x层。 49.如申请专利范围第48项之装置,其中该第二硫属 玻璃层具有约Ge40Se60之一化学计量比。 50.如申请专利范围第47项之装置,其中该第二硫属 玻璃层系约50至约500厚。 51.如申请专利范围第50项之装置,其中该第二硫属 玻璃层系约150厚。 52.如申请专利范围第49项之装置,其中在该含金属 层与该第二导电层之间内提供该第二硫属玻璃层 。 53.如申请专利范围第34项之装置,其中该装置于至 少700 mV之一所施加电压范围保持一定流。 54.如申请专利范围第34项之装置,其进一步包含将 该负脉冲施加于该等层之一电压源。 55.一种定流保持结构,其包含: 至少二硒化锗玻璃层,其具有自约Ge18Se82至约Ge43Se 57之一化学计量比,其中至少一硒化锗玻璃层约等 于或大于50厚; 至少一含金属层,其系提供于该等至少二硒化锗层 之间; 二个电极; 一含银层,其提供于该等二电极之间;以及 一至少-800 mV或更大之负脉冲,横跨该等二电极而 施加一幅度使得该装置作为一定流装置而操作。 56.如申请专利范围第55项之结构,其中该等至少二 硒化锗玻璃层具有约Ge40Se60之一化学计量比。 57.如申请专利范围第55项之结构,其中该等至少二 硒化锗玻璃层系约小于500厚。 58.如申请专利范围第55项之结构,其中该含金属层 系一硒化银层。 59.如申请专利范围第55项之结构,其中该含金属层 系包含Ag之一硫属层。 60.如申请专利范围第59项之结构,其中该硫属层系 从由O、S、Se、Te及Po组成之群组中选取。 61.如申请专利范围第55项之结构,其中该含金属层 系约200至约2000厚。 62.如申请专利范围第55项之结构,其中该含金属层 系约600厚。 63.如申请专利范围第55项之结构,其中该等二电极 包含从一群组中选取之一导电材料,例如,钨、镍 、钽、氮化钽、铜、铝、铂、银或氮化钛之一或 更多。 64.如申请专利范围第55项之结构,其中该至少一硒 化锗玻璃层系约150至约400厚。 65.如申请专利范围第55项之结构,其中该装置于至 少700 mV之一所施加电压范围保持一定流。 66.如申请专利范围第55项之结构,其中该银层系约 500厚或更薄。 67.如申请专利范围第66项之结构,其中该银层系约 200厚。 68.如申请专利范围第55项之结构,其进一步包含将 该负脉冲施加于该等电极之一电压源。 69.一种基于处理器之系统,其包含: 一处理器;以及 一记忆体电路,其连接至该处理器,该处理器与该 记忆体电路之至少一者包括一定流装置,该定流装 置包含: 至少一硫属玻璃层;以及, 至少一含金属层,藉由横跨该等层之一所施加的第 一电压将该装置设定为以一定流模式操作从而于 一所施加电压范围提供一实质上定流。 70.如申请专利范围第69项之系统,其中该至少一硫 属玻璃层系具有自约Ge18Se82至约Ge43Se57之一化学计 量比之一GexSe100-x层。 71.如申请专利范围第70项之系统,其中该至少一硫 属玻璃层具有约Ge40Se60之一化学计量比。 72.如申请专利范围第69项之系统,其中该至少一硫 属玻璃层系约150至约400厚。 73.如申请专利范围第72项之系统,其中该至少一硫 属玻璃层系约250厚。 74.如申请专利范围第69项之系统,其中一第二硫属 玻璃层提供于该含金属层上,该第二硫属玻璃层系 约50至约500厚。 75.如申请专利范围第74项之系统,其中该第二硫属 玻璃层系约150厚。 76.如申请专利范围第69项之系统,其中该含金属层 系一硒化银层。 77.如申请专利范围第69项之系统,其中该含金属层 系包含Ag之一硫属层。 78.如申请专利范围第77项之系统,其中该硫属层系 从由O、S、Se、Te及Po组成之群组中选取。 79.如申请专利范围第69项之系统,其中该含金属层 系约200至约2000厚。 80.如申请专利范围第79项之系统,其中该含金属层 系约600厚。 81.如申请专利范围第69项之系统,其中该所施加之 第一电压系大于该装置之一抹除电位之一更负脉 冲。 82.如申请专利范围第81项之系统,其中在自约-800 mV 至约-2.0 V之范围内施加该负脉冲。 83.如申请专利范围第82项之系统,其中在约8 ns至约 30 ns之一脉冲持续时间范围内施加该负脉冲。 84.如申请专利范围第69项之系统,其中该装置于至 少700 mV之一所施加电压范围保持一定流。 85.如申请专利范围第69项之系统,其进一步包含至 少一电极与一电压源。 86.一种重新设定一定流装置中的该定流値之方法, 该方法包含: 施加一更负于一负临界电压之一电压于该装置。 87.如申请专利范围第86项之方法,其中该所施加之 负电压系处于一略为更负于该装置之该现有定流 之该电压范围上限之一电压。 88.如申请专利范围第87项之方法,其中该所施加之 负电压系该崩溃电压。 89.如申请专利范围第88项之方法,其中在自约-800 mV 至约-2.0 V之范围内施加该崩溃电压。 90.如申请专利范围第86项之方法,其中将该装置之 该定流限制重新设定或提高至更负。 91.如申请专利范围第89项之方法,其中在约8 ns至约 30 ns之一脉冲持续时间范围内施加该崩溃电压。 92.一种用于将一记忆体装置转换成一定流装置之 方法,该方法包含: 施加一负电压,其大于该记忆体装置之一抹除电位 ,该负电压在约-800 mV至约-2.0 V之范围内施加,其中 该记忆体装置转换成一定流装置。 93.如申请专利范围第92项之方法,其中该定流装置 于至少700 mV之一所施加电压范围保持一定流。 94.如申请专利范围第87项之方法,其中在约8 ns至约 30 ns之一脉冲持续时间范围内施加该负电压。 95.如申请专利范围第87项之方法,其中该记忆体装 置永久转换成一定流装置。 96.一种形成一定流装置之方法,该方法包含: 形成至少一硫属玻璃层; 形成至少一含金属层;以及, 施加一第一负电压,其横跨该等层以于一所施加电 压范围提供一实质上定流。 97.如申请专利范围第96项之方法,其中该至少一硫 属玻璃层系具有自约Ge18Se82至约Ge43Se57之一化学计 量比之一GexSe100-x层。 98.如申请专利范围第97项之方法,其中该至少一硫 属玻璃层具有约Ge40Se60之一化学计量比。 99.如申请专利范围第96项之方法,其中该至少一硫 属玻璃层系约150至约400厚。 100.如申请专利范围第99项之方法,其中该至少一硫 属玻璃层系约250厚。 101.如申请专利范围第96项之方法,其进一步包含在 该含金属层上形成一第二硫属玻璃层,该第二硫属 玻璃层系约50至约500厚。 102.如申请专利范围第101项之方法,其中该第二硫 属玻璃层系约150厚。 103.如申请专利范围第96项之方法,其中该含金属层 系一硒化银层。 104.如申请专利范围第96项之方法,其中该含金属层 系包含Ag之一硫属层。 105.如申请专利范围第104项之方法,其中该硫属层 系从由O、S、Se、Te及Po组成之群组中选取。 106.如申请专利范围第96项之方法,其中该含金属层 系约200至约2000厚。 107.如申请专利范围第106项之方法,其中该含金属 层系约600厚。 108.如申请专利范围第96项之方法,其进一步包含施 加大于该装置之一抹除电位之一负电压。 109.如申请专利范围第108项之方法,其中在自约-800 mV至约-2.0 V之范围内施加该负电压。 110.如申请专利范围第109项之方法,其中在约8 ns至 约30 ns之一脉冲持续时间范围内施加该负电压。 111.如申请专利范围第96项之方法,其中该装置于至 少700 mV之一所施加电压范围保持一定流。 112.如申请专利范围第96项之方法,其进一步包含至 少一电极与一电压源,自该电压源施加该负电压。 113.一种形成一定流源装置之方法,该方法包含: 形成一第一与一第二硫属玻璃层; 形成一含金属层于该等第一与第二硫属玻璃层之 间;以及 施加一负电压其大于该装置之一抹除电位,其中该 装置以定流模式操作。 114.如申请专利范围第113项之方法,其中该等第一 与第二硫属玻璃层系具有自约Ge18Se82至约Ge43Se57之 一化学计量比之一GexSe100-x层。 115.如申请专利范围第114项之方法,其中该等硫属 玻璃层具有约Ge40Se60之一化学计量比。 116.如申请专利范围第113项之方法,其中该第一硫 属玻璃层系约150至约400厚。 117.如申请专利范围第116项之方法,其中该第一硫 属玻璃层系约250厚。 118.如申请专利范围第113项之方法,其中该第二硫 属玻璃层系约50至约500厚。 119.如申请专利范围第118项之方法,其中该第二硫 属玻璃层系约150厚。 120.如申请专利范围第113项之方法,其中该含金属 层系一硒化银层。 121.如申请专利范围第113项之方法,其中该含金属 层系包含Ag之一硫属层。 122.如申请专利范围第121项之方法,其中该硫属层 系从由O、S、Se、Te及Po组成之群组中选取。 123.如申请专利范围第113项之方法,其中该含金属 层系约200至约2000厚。 124.如申请专利范围第123项之方法,其中该含金属 层系约600厚。 125.如申请专利范围第113项之方法,其进一步包含 横跨该等层在约-800 mV至约-2.0 V范围内施加一负脉 冲。 126.如申请专利范围第125项之方法,其中在约8 ns至 约30 ns之一脉冲持续时间范围内施加该负脉冲。 127.如申请专利范围第113项之方法,其中该装置于 至少700 mV之一所施加电压范围保持一定流。 128.如申请专利范围第113项之方法,其进一步包含 提供至少一电极与一电压源,自该电压源施加该负 脉冲。 129.一种形成一定流装置之方法,该方法包含: 形成一第一导电层; 形成一硫属玻璃层于该第一导电层上; 形成一含金属层于该硫属玻璃层上; 形成一第二导电层于该含金属层之上; 形成一银层其提供于该等第一与第二导电层之间; 以及 施加一预定幅度之一负电压,其横跨该等第一及第 二导电层而使得该装置以定流模式操作。 130.如申请专利范围第129项之方法,其中该硫属玻 璃层系具有自约Ge18Se82至约Ge43Se57之一化学计量比 之一GexSe100-x层。 131.如申请专利范围第130项之方法,其中该硫属玻 璃层具有约Ge40Se60之一化学计量比。 132.如申请专利范围第130项之方法,其中该硫属玻 璃层系约150至约400厚。 133.如申请专利范围第132项之方法,其中该硫属玻 璃层系约250厚。 134.如申请专利范围第129项之方法,其中该含金属 层系一硒化银层。 135.如申请专利范围第129项之方法,其中该含金属 层系包含Ag之一硫属层。 136.如申请专利范围第135项之方法,其中该硫属层 系从由O、S、Se、Te及Po组成之群组中选取。 137.如申请专利范围第129项之方法,其中该含金属 层系约200至约2000厚。 138.如申请专利范围第137项之方法,其中该含金属 层系约600厚。 139.如申请专利范围第129项之方法,其中该等第一 及第二导电层包含一导电材料,例如,钨、镍、钽 、氮化钽、铜、铝、铂、银或氮化钛之一或更多 。 140.如申请专利范围第129项之方法,其进一步包含 在约-800 mV至约-2.0 V范围内施加一负电压。 141.如申请专利范围第140项之方法,其中在约8 ns至 约30 ns之一脉冲持续时间范围内施加该负电压。 142.如申请专利范围第129项之方法,其进一步包含 形成一第二硫属玻璃层。 143.如申请专利范围第142项之方法,其中该第二硫 属玻璃层系具有自约Ge18Se82至约Ge43Se57之一化学计 量比之一GexSe100-x层。 144.如申请专利范围第143项之方法,其中该第二硫 属玻璃层具有约Ge40Se60之一化学计量比。 145.如申请专利范围第142项之方法,其中该第二硫 属玻璃层系约50至约500厚。 146.如申请专利范围第145项之方法,其中该第二硫 属玻璃层系约150厚。 147.如申请专利范围第142项之方法,其中该第二硫 属玻璃层系提供于该含金属层与该第二导电层之 间内。 148.如申请专利范围第129项之方法,其中该装置于 至少700 mV之一所施加电压范围保持一定流。 149.如申请专利范围第129项之方法,其进一步包含 一电压源,自该电压源内施加该负电压。 150.一种改变一定流装置中的该定流値之方法,该 方法包含: 施加一负电压其更负于该装置之一负临界电压,其 中施加该更负电压之该动作提高该装置之该现有 定流限制。 151.如申请专利范围第150项之方法,其进一步包含 施加略为更负于该装置中之该现有定流之该电压 范围上限之一电压。 152.如申请专利范围第151项之方法,其中该所施加 之负电压系该崩溃电压。 153.如申请专利范围第152项之方法,其进一步包含 在约-800 mV至约-2.0 V范围内施加一崩溃电压。 154.如申请专利范围第153项之方法,其中在约8 ns至 约30 ns之一脉冲持续时间范围内施加该崩溃电压 。 155.一种将一硫属记忆体装置永久转换成一硫属定 流装置之方法,该方法包含: 施加一负电位于该硫属记忆体装置,该负电位更负 于该装置之该抹除电位。 156.如申请专利范围第155项之方法,其进一步包含 在约-800 mV至约-2.0 V范围内施加一负电位。 157.如申请专利范围第156项之方法,其中在约8 ns至 约30 ns之一脉冲持续时间范围内施加该负电位。 158.如申请专利范围第155项之方法,其中该硫属记 忆体装置永久转换成一定流装置。 159.一种改变一定流装置中的该定流値之方法,该 方法包含: 将一正电位施加于该定流装置。 160.如申请专利范围第159项之方法,其中施加一正 电位之该步骤减小该装置之定流値。 161.一种改变一定流装置中的该定流値之方法,该 方法包含: 施加一正电压于该装置,其中该正电压降低该定流 位准以变成一更正之定流位准。 162.一种用于将一定流装置用作一类比记忆体装置 之方法,该方法包含: 施加至少一正电压于该定流装置,其中该至少一正 电压产生至少一定流値; 读取该至少一定流値;以及 并保存该至少一定流値。 163.如申请专利范围第162项之方法,其中该保存至 少一定流値与一记忆体状态相对应。 164.如申请专利范围第162项之方法,其进一步包含 储存该至少一定流値为用于该装置之一记忆体状 态。 165.一种用于将一定流装置用作一类比记忆体装置 之方法,该方法包含: 读取该定流装置之至少一定流値; 储存该装置之该至少一定流値,其中该至少一定流 値对应于该装置之一记忆体状态。 166.如申请专利范围第165项之方法,其进一步包含 施加对应于该装置之不同定流値的复数个具有相 似或较小振幅之重复脉冲,其中读取该装置之该等 不同定流値并将该等不同定流値储存为用于该装 置之不同记忆体状态。 167.如申请专利范围第166项之方法,其中施加复数 个重复脉冲之该步骤产生用于该装置之状态之一 类比分类。 168.一种用于增加一定流装置之定流値之该振幅之 方法,该方法包含: 施加一负电位于该定流装置。 169.如申请专利范围第168项之方法,其中该所施加 之负电压更负于该装置之该负临界电压。 170.如申请专利范围第168项之方法,其中将该所施 加负电位之具有相似或较小振幅之重复脉冲施加 于该装置,从而进一步增加该装置之定流値之该振 幅。 171.如申请专利范围第168项之方法,其中该所施加 之负电压引起该装置中之一更负定流値。 172.一种用于减小一定流装置之定流値之该振幅之 方法,该方法包含: 施加一正电位于该定流装置。 173.如申请专利范围第172项之方法,其中将该所施 加正电位之具有相似或较小振幅之重复脉冲施加 于该装置,从而进一步减小该装置之定流値之该振 幅。 174.如申请专利范围第172项之方法,其中该所施加 之正电压引起该装置中一更正定流値。 175.如申请专利范围第172项之方法,其中该所施加 之正电压更正于该装置之一负临界电压。 176.一种形成用于一定流装置之一定流状态之方法 ,该方法包含: 施加一负电位于该装置,其中该负电位更负于该装 置之该负临界电压;以及 施加一正电位于该装置,其中该正电位更正于该装 置之该负临界电压。 177.如申请专利范围第176项之方法,其中将该所施 加之负电位之具有相似或较小振幅之重复脉冲施 加于该装置,以进一步增加该装置之定流値之该振 幅。 178.如申请专利范围第176项之方法,其中将该所施 加之正电位之具有相似或较小振幅之重复脉冲施 加于该装置,以减小该装置之定流値之该振幅。 179.如申请专利范围第176项之方法,其中施加一正 电位与负电位之该步骤形成用于该装置之一定流 状态。 180.如申请专利范围第179项之方法,其进一步包含 读取并储存该等所施加之正与负电位以形成用于 该装置之状态之一类比分类。 图式简单说明: 图1说明依据本发明之一第一具体实施例而制造之 一硫属玻璃定流装置之一断面图。 图1a说明依据本发明第一具体实施例之一第一范 例性具体实施例而制造之一硫属玻璃定流装置之 一断面图。 图1b说明依据本发明第一具体实施例之一第二范 例性具体实施例而制造之一硫属玻璃定流装置之 一断面图。 图1c说明依据本发明第一具体实施例之一第三范 例性具体实施例而制造之一硫属玻璃定流装置之 一断面图。 图1d说明依据本发明第一具体实施例之另一范例 性具体实施例而制造之一硫属玻璃定流装置之一 断面图。 图2说明依据本发明之一第二具体实施例而制造之 一硫属玻璃定流装置之一断面图。 图2a说明依据本发明第二具体实施例之一第一范 例性具体实施例而制造之一硫属玻璃定流装置之 一断面图。 图2b说明依据本发明第二具体实施例之一第二范 例性具体实施例而制造之一硫属玻璃定流装置之 一断面图。 图3系说明依据本发明而构造之一硫属定流装置之 一电流电压(current-voltage;I-V)曲线之一曲线图。 图4系说明施加不同正电压以减小一定流装置之定 流振幅之一曲线图。 图5系说明由于将图4中说明的电压施加于一硫属 定流装置而获得的定流之一曲线图。 图6系说明一硫属定流装置之崩溃电压之一曲线图 。 图7系说明在施加参考图5至6所说明之一偏压电压 后一硫属定流装置之I-V特征之一曲线图。 图8系说明施加于一硫属定流装置之原始正电压以 及所产生之定流I-V特征之一曲线图。 图9说明并入依据本发明而形成之一硫属定流装置 之一电脑系统。 |
