半导体晶圆之制造方法

摘要

一种供有抛光流体、于转动抛光盘之间同时抛光半导体晶圆正面及背面以制造半导体晶圆之方法，在持续一抛光时间之抛光期间，该半导体晶圆系置于一支座之切除部分留下之框内且固定于一既定之几何路线上，该支座具备既定之支座厚度，该半导体晶圆在抛光前具备一起始厚度及在抛光之后具备一最终厚度，其特征为该抛光所需之抛光时间系由若干数据计算得来，该等数据包含：起始厚度及支座厚度以及一半导体晶圆(该半导体晶圆于本抛光之前上次抛光期间曾经加以抛光)之起始厚度、最终厚度及平坦度。

主权项

1.一种制造半导体晶圆之方法,该方法系藉同时抛 光半导体晶圆正面及背面,在抛光期间,旋转的两 块抛光板之间,有抛光流体,该半导体晶圆位于齿 轮架之切除部分内,具有一定之齿轮架厚度,持续 在一定之几何路径上,该半导体晶圆,在抛光前有 一起始厚度,在抛光后有一最终厚度,其中抛光所 需之抛光时间,由下述数据计算出来,包括半导体 晶圆之起始厚度与平坦度、齿轮架厚度及半导体 晶圆在抛光期间,于本次抛光前抛过光。 2.如申请专利范围第1项之方法,其中该前面的抛光 ,正好是本次抛光前面的抛光。 3.如申请专利范围第1项之方法,其中该平坦度系并 入dn135値形式之计算内。 4.如申请专利范围第3项之方法,其中抛光时间比例 减短至正dn135値之绝对値。 5.如申请专利范围第3项之方法,其中抛光时间比例 加长至负dn135値之绝对値。 6.如申请专利范围第4项之方法,其中以增量之方式 减短抛光时间。 7.如申请专利范围第5项之方法,其中以增量之方式 加长抛光时间。 图式简单说明: 半导体晶圆边缘区及中央区所选若干部位半导体 晶圆厚度之微分量测测定结果。