| 主权项 |
1.一种半导体装置,系具备: 第一导电性膜; 设于前述第一导电性膜上之绝缘树脂膜; 设于前述第一导电性膜与前述绝缘树脂膜之插塞; 设于前述绝缘树脂膜上,并以覆盖前述插塞之方式 形成之第二导电性膜;以及 设于前述第二导电性膜上之元件。 2.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中,前述 插塞系具有:形成为直径在由前述第一导电性膜往 前述第二导电性膜的方向缩小之倾斜状的侧壁。 3.一种半导体装置,系包含: 第一导电性膜; 设于前述第一导电性膜上之绝缘树脂膜; 设于前述绝缘树脂膜上之第二导电性膜; 设于前述第二导电性膜上之元件;以及 设于前述绝缘树脂膜之插塞, 其特征为:前述插塞系具有:形成为直径在由前述 第一导电性膜往前述第二导电性膜的方向缩小之 倾斜状的侧壁。 4.如申请专利范围第1项至第3项中任一项之半导体 装置,其中,前述元件系设于形成有前述插塞的领 域上。 5.如申请专利范围第1项至第3项中任一项之半导体 装置,其中,在前述第二导电性膜上的任意位置,设 有引线搭接用的接点。 6.如申请专利范围第1项至第3项中任一项之半导体 装置,其中,前述第一导电性膜以及前述插塞的一 部份系做为外部引出电极来使用。 7.如申请专利范围第1项至第3项中任一项之半导体 装置,其中,系在前述插塞所形成之空间内充填绝 缘性或导电性的材料。 8.如申请专利范围第6项之半导体装置,其中,设有 充填前述插塞所形成之空间,并由前述第一导电性 膜向外侧突出之导电性突起电极。 9.一种半导体装置的制造方法,系包含: 在包含中间夹置绝缘树脂膜而设之第一导电性膜 以及第二导电性膜的构造体,以前述第二导电性膜 做为挡止层,而由形成前述第一导电性膜的方向照 射雷射光以形成插塞之步骤;以及 在前述第二导电性膜上配置元件之步骤。 10.如申请专利范围第9项之半导体装置的制造方法 ,其中,尚具备:在前述插塞所形成之空间充填绝缘 性或导电性材料之步骤。 11.如申请专利范围第10项之半导体装置的制造方 法,其中,尚具备:形成充填前述插塞所形成之空间, 并由前述第一导电性膜向外侧突出之导电性突起 电极之步骤。 图式简单说明: 第1图为显示本发明之实施例之半导体装置构造之 剖面图。 第2图(a)至(e)显示本发明之实施例之半导体装置之 制作步骤之剖面图。 第3图显示第1图所示之半导体装置之其他实施例 之剖面图。 第4图为显示第1图所示之半导体装置之另一其他 实例之剖面图。 第5图(a)及(b)为分别显示本发明之实施例之插塞形 状与以往之插塞形状之剖面图。 第6图为显示第1图所示之半导体装置之其他实例 之剖面图。 第7图为显示实施例所制作之半导体装置之剖面构 造之图。 第8图为显示以往之半导体装置之构造之剖面图。 |
