发明名称 检测覆晶基板之定位方法
摘要 本发明系有关于一种检测覆晶基板之定位方法,包含有下列步骤:A、提供一检测设备,具有一上检测头、一下检测头、一承座、以及一摄影机;B、设定基准位置:备置一基准覆晶基板,具有二定位标记,调整该承座之位置,使该摄影机对该基准覆晶基板上的定位标记分别取像并记录此基准位置;C、待检测覆晶基板定位:以该摄影机对该待检测覆晶基板之二定位标记分别进行取像;D、比对该待检测覆晶基板与该基准覆晶基板之二定位标记之位置,藉此得到待检测覆晶基板相对于基准位置之位置差距;E、将该上检测头及该下检测头依前述步骤所得之位置差距位移或旋转,藉以补偿误差,进而完成定位。
申请公布号 TWI253499 申请公布日期 2006.04.21
申请号 TW093123279 申请日期 2004.08.03
申请人 东捷科技股份有限公司 发明人 陈金圣;陈逸平;陈志明
分类号 G01B11/00;G01B11/02 主分类号 G01B11/00
代理机构 代理人 刘緖伦 台中市南屯区永春东一路549号3楼
主权项 1.一种检测覆晶基板之定位方法,包含有下列步骤: A、提供一检测设备,具有一上检测头、一下检测 头、一承座、以及一摄影机,该上检测头及该下检 测头均可于X轴方向、Y轴方向、Z轴方向上位移,且 可水平旋转角度,该承座可于一第一位置及一第 二位置间位移,当该承座位于该第二位置时,系位 于该上检测头与该下检测头之间,该承座中央具有 一镂空部位,可供该下检测头由下方进入,该承座 可相对于该摄影机于该第一位置及一第三位置间 位移; B、设定基准位置:备置一基准覆晶基板,具有二定 位标记,将该基准覆晶基板置于该承座上,于该承 座位于该第二位置时,调整该上检测头及该下检测 头,使该二检测头对正于基准覆晶基板,于该承座 分别位于该第一位置及该第三位置时,该二定位标 记系分别对正于该摄影机,并纪录此基准位置; C、待检测覆晶基板定位:将一待检测覆晶基板置 于该承座上,调整该承座分别位于该第一位置及该 第三位置,供该摄影机分别对该待检测覆晶基板之 二定位标记分别进行取像; D、比对该待检测覆晶基板与该基准覆晶基板之二 定位标记之位置,可得出各个定位标记在X轴座标 及Y轴座标的差距,藉此得到待检测覆晶基板相对 于基准位置之X轴、Y轴、以及角度之差; E、使该承座位于该第二位置,将该上检测头及该 下检测头依前述步骤所得之X轴、Y轴、以及角 度之差进行位移及旋转,藉以补偿误差,进而使该 上检测头及下检测头对准该待检测覆晶基板; 藉由上述步骤,可达成待检测覆晶基板在检测前的 定位。 2.依据申请专利范围第1项所述之检测覆晶基板之 定位方法,其中:该摄影机系为一CCD(电荷耦合装置) 摄影镜头。 3.依据申请专利范围第1项所述之检测覆晶基板之 定位方法,其中:于取像时,该摄影机系位于定位标 记的正上方。 4.依据申请专利范围第1项所述之检测覆晶基板之 定位方法,其中:该承座位于该第一位置时系用以 进/出料,位于该第二位置时系使待检测覆晶基板 供检测。 图式简单说明: 第一图系本发明一较佳实施例之结构示意图,显示 上测试头、承座、以及下测试头间之空间形态; 第二图A系本发明一较佳实施例之动作示意图,显 示承座位于第一位置时之状态; 第二图B系本发明一较佳实施例之动作示意图,显 示承座位于第三位置时之状态; 第三图系本发明一较佳实施例之实施状态示意图, 显示承座于第一位置之状态; 第四图系本发明一较佳实施例之实施状态示意图, 显示承座于第二位置之状态。
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