发明名称 放电表面处理方法
摘要 本发明提供一种放电表面处理方法,系采用将金属粉末或金属化合物粉末加以压缩而形成之压粉体作为电极,于加工液中或气体中使电极与工件间产生脉冲状放电,并利用其能量,于工件表面形成电极材料所构成之被膜,或由电极材料因放电能量反应而产生之物质所构成之被膜之放电表面处理方法中,其特征为:使用平均粒径6μm至10μm之金属粉末或金属化合物粉末加以混合并压缩成形之电极,以脉冲宽度50μs至500μs,电流峰值30A以下之加工条件,形成主成分为金属之厚膜隆起。
申请公布号 TWI253365 申请公布日期 2006.04.21
申请号 TW093104212 申请日期 2004.02.20
申请人 三菱电机股份有限公司;石川岛播磨重工业股份有限公司 发明人 后藤昭弘;秋吉雅夫;松尾胜弘;落合宏行;渡边光敏;古川崇
分类号 B23H9/00;C23C26/00 主分类号 B23H9/00
代理机构 代理人 洪武雄 台北市中正区博爱路80号6楼;陈昭诚 台北市中正区博爱路80号6楼
主权项 1.一种放电表面处理方法,系将金属粉末或金属化 合物之粉末压缩成形之压粉体作为电极,于加工液 中或气体中使电极与工件之间产生脉冲状放电,并 利用其能量,于工件表面形成由上述电极材料所构 成之被膜,或由电极材料因放电能量所反应之物质 所构成之被膜,其特征为: 使用平均粒径6m至10m之金属粉末或金属化合 物粉末混合并压缩成形之电极,以脉冲宽度50s至 500s,电流峰値30A以下之加工条件,进行主成分为 金属之厚膜隆起。 2.如申请专利范围第1项之放电表面处理方法,其中 ,上述电极系使用不易形成碳化物之材质的上述金 属粉末与容易形成碳化物之材质的金属粉末混合 而压缩形成的电极。 3.如申请专利范围第2项之放电表面处理方法,其中 ,上述电极系使用含有40体积%以上之不易形成上述 碳化物之材质的上述金属粉末之电极。 4.如申请专利范围第1项至第3项中任一项之放电表 面处理方法,其中,上述电极系采用以「铬Cr:20重量 %、镍Ni:10重量%、钨W:15重量%、钴Co:残余重量百分 比」;「铬Cr:25重量%、镍Ni:10重量%、钨W:7重量%、 钴Co:残余重量百分比」;「钼Mo:28重量%、铬Cr:17重 量%、矽Si:3重量%、钴Co:残余重量百分比」;「铬Cr: 15重量%、铁Fe:8重量%、镍Ni:残余重量百分比」;「 铬Cr:21重量%、钼Mo:9重量%、钽Ta:4重量%、镍Ni:残余 重量百分比」;或者「铬Cr:19重量%、镍Ni:53重量%、 钼Mo:3重量%、镉Cd+钽Ta:5重量%、钛Ti:0.8重量%、铝Al :0.6重量%、铁Fe:残余重量百分比」之比例混合上 述金属粉末之材料,或者以该比例所组成之上述金 属化合物粉末加以压缩形成之电极。 5.一种放电表面处理方法,系将金属粉末或者金属 化合物粉末压缩成形之压粉体作为电极,于加工液 中或气体中使电极与工件间产生脉冲状放电,并利 用该能量,于工件表面形成由上述电极材料所构成 之被膜,或由电极材料因放电能量所反应之物质所 构成之被膜,其特征为: 使用将平均粒径3m以下之金属粉末或者金属化 合物粉末予以压缩而形成之电极,以脉冲宽度70s 以下,电流峰値30A以下之加工条件,进行主成分为 金属之厚膜隆起。 6.如申请专利范围第5项之放电表面处理方法,其中 ,上述电极系使用不易形成碳化物之材质的金属粉 末作为电极材料。 7.如申请专利范围第6项之放电表面处理方法,其中 ,上述电极系使用含有40体积%以上之不易形成上述 碳化物之材质的上述金属粉末之电极。 8.如申请专利范围第5项至第7项中任一项之放电表 面处理方法,其中,上述电极系采用以「铬Cr:20重量 %、镍Ni:10重量%、钨W:15重量%、钴Co:残余重量百分 比」;「铬Cr:25重量%、镍Ni:10重量%、钨W:7重量%、 钴Co:残余重量百分比」;「钼Mo:28重量%、铬Cr:17重 量%、矽Si:3重量%、钴Co:残余重量百分比」;「铬Cr: 15重量%、铁Fe:8重量%、镍Ni:残余重量百分比」;「 铬Cr:21重量%、钼Mo:9重量%、钽Ta:4重量%、镍Ni:残余 重量百分比」;或者「铬Cr:19重量%、镍Ni:53重量%、 钼Mo:3重量%、镉Cd+钽Ta:5重量%、钛Ti:0.8重量%、铝Al :0.6重量%、铁Fe:残余重量百分比」之比例混合上 述金属粉末之材料,或者该比例组成之上述金属化 合物粉末加以压缩而形成之电极。 9.一种放电表面处理方法,系将金属粉末或者金属 化合物之粉末压缩而形成压粉体,或将经过加热处 理之该压粉体作为电极,于加工液中或气体中使电 极与工件间产生脉冲状放电,并藉由其能量,于工 件表面形成上述电极材料所构成之被膜,或电极材 料由放电能所反应之物质所构成之被膜,其特征为 : 使用将平均粒径2m以上6m以下之金属粉末或金 属化合物粉末加以压缩而形成之电极,以脉冲宽度 5s至100s,电流峰値30A以下之加工条件,进行主 成分为金属之厚膜隆起。 10.如申请专利范围第9项之放电表面处理方法,其 中,上述电极系使用含有不易形成碳化物之材料的 合金作为电极材料。 11.如申请专利范围第10项之放电表面处理方法,其 中,上述电极系使用含有40体积%以上之不易形成上 述碳化物之材质的上述金属粉末之电极。 12.如申请专利范围第9项至第11项中任一项之放电 表面处理方法,其中,上述电极系采用以「铬Cr:20重 量%、镍Ni:10重量%、钨W:15重量%、钴Co:残余重量百 分比」;「铬Cr:25重量%、镍Ni:10重量%、钨W:7重量% 、钴Co:残余重量百分比」;「钼Mo:28重量%、铬Cr:17 重量%、矽Si:3重量%、钴Co:残余重量百分比」;「铬 Cr:15重量%、铁Fe:8重量%、镍Ni:残余重量百分比」; 「铬Cr:21重量%、钼Mo:9重量%、钽Ta(tantalum):4重量% 、镍Ni:残余重量百分比」;或者「铬Cr:19重量%、钨 Ni:53重量%、钼Mo:3重量%、镉Cd+钽Ta:5重量%、钛Ti:0.8 重量%、铝Al:0.6重量%、铁Fe:残余重量百分比」之 比例混合上述金属粉末之材料,或者以该比例组成 之上述金属化合物粉末加以压缩而形成之电极。 图式简单说明: 第1图系表示放电表面处理用电极之制造方法概念 剖视图。 第2图系表示以改变电极中钴含量之方式而逐渐易 于形成厚膜之样态特性图。 第3A图系表示施行放电表面处理之际,电压波形之 特性图。 第3B图系表示对应第3A图之电压波形之电流波形特 性图。 第4图系表示电极内未含不易形成碳化物材料时, 处理时间与被膜形成状态之关系特性图。 第5图系表示钴为70体积%时所形成之被膜之相片。 第6图系表示放电表面处理用电极之制造方法概念 剖视图。 第7A图系表示测试电极电阻値之简便方法图。 第7B图系表示测试电极电阻値之更简便方法图。 第8图系表示加热温度与电极电阻关系之特性图。 第9图系表示加工液中施行放电表面处理之状态图 。 第10图系所形成之被膜相片。 第11图系表示放电表面处理用电极之制造方法概 念剖视图。 第12图系表示改变电极材料平均粒径与脉冲宽度 而形成被膜之结果图。 第13图系利用以往之电极形成被膜时之电子显微 镜相片。
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