| 摘要 |
<p><P>Un transistor à magnétorésistance (100, 500) comprenant un élément magnétorésistant (110, 310, 510) qui peut fonctionner comme émetteur et un élément passif (130, 330, 530) qui peut fonctionner comme collecteur. La base (120, 320, 520) peut être interposée entre l'élément passif (130, 330, 530) et l'élément magnétorésistant (110, 310, 510), couplant ainsi l'élément passif (130, 330, 530) à l'élément magnétorésistant (110, 310, 510). Un champ magnétique d'une intensité donnée peut être appliqué à au moins une partie du transistor à magnétorésistance (100, 500), l'intensité donnée déterminant une résistance dans la au moins une partie du transistor à magnétorésistance (100, 500). Ainsi, en ajustant l'intensité donnée du champ magnétique, la résistance peut être ajustée. En conséquence, différentes entrées de courant d'émetteur peuvent être atteintes avec une tension fixe. En outre, un courant de base peut varier avec une variation régulée de l'entrée de courant d'émetteur.</P></p> |
