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发明名称 AN INTEGRATED TRANSISTOR WITH A POLYCRYSTALLINE CONTACT TO A BURIED COLLECTOR REGION
摘要
申请公布号 US3617826(A) 申请公布日期 1971.11.02
申请号 USD3617826 申请日期 1968.11.12
申请人 SONY CORP. 发明人 ISAMU KOBAYASHI
分类号 H01L21/285;H01L21/8222;H01L27/06;H01L29/00;H01L29/04;H01L29/417;(IPC1-7):H01L11/00;H01L7/36 主分类号 H01L21/285
代理机构 代理人
主权项
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