Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit tiefen Grabenstrukturen

摘要

Ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit tiefen Grabenstrukturen umfasst das Bilden eines ersten Teils eines Grabens in einem Halbleitersubstrat und eines zweiten Teils eines Grabens in einer selektiv gebildeten oberen Schicht. Nach dem Ätzen des Substrats, um den ersten Teil des Grabens zu bilden, wird eine Schutzschicht über die innere Oberfläche des Grabens im Halbleitersubstrat abgeschieden, und die obere Schicht wird auf einer Hauptoberfläche des Halbleitersubstrats selektiv gebildet. Während des Bildens der oberen Schicht wird eine Wandoberfläche in der oberen Schicht derartig gebildet, dass sie mit der Wandoberfläche des Grabens im Halbleitersubstrat kontinuierlich ist. Durch das Bilden eines zweiten Teils des Grabens in der selektiv gebildeten oberen Schicht wird ein tiefer Graben erhalten, der ein großes Seitenverhältnis und klar definierte geometrische Merkmale aufweist.