| 摘要 |
Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Licht emittierenden Halbleitervorrichtung vorgesehen. Die Vorrichtung weist ein Gehäuse auf, und zwar mit einem Hohlraum, einem Licht emittierenden Element an einer Bodenstirnfläche des Hohlraums und mit einer Wellenlängenumwandlungsschicht, vorgesehen innerhalb des Hohlraums. Die Wellenlängenumwandlungsschicht enthält Teilchen eines Wellenlängenumwandlungsmaterials. Das Verfahren umfasst Folgendes: Formen der Wellenlängenumwandlungsschicht innerhalb des Hohlraums, was einen ersten Schritt des Aufbringens und Härtens eines ersten Materials zur Bildung einer ersten Wellenlängenumwandlungsschicht auf dem Licht emittierenden Element umfasst und ferner einen zweiten Schritt des Aufbringens und Härtens eines zweiten Materials zur Füllung des gesamten Hohlraums, wodurch eine zweite Wellenlängenumwandlungsschicht gebildet wird. Die Licht emittierende Halbleitervorrichtung, hergestellt durch das erfindungsgemäße Verfahren, kann gleichförmige Lichtemissions-Charakteristika erreichen, und zwar ohne irgendeine ungleichmäßige Farbe, und ferner ergibt sich eine hohe Wärmeverteilungseffizienz. |
