侧面扩散金属氧化物半导体场效晶体管

摘要

本实用新型涉及一种侧面扩散金属氧化物半导体场效晶体管，该晶体管包括至少一个以上的P型场效区块，其在延伸漏极区域中形成，该延伸漏极区域在一N型井中。该P型场效区块在N型井中形成结场效，以将寄生电容等电容值化，该寄生电容位于漏极区域以及源极区域之间。并提供一个具有高击穿电压，低导通阻抗，以及隔离结构的晶体管，以供单芯片整合制造方法应用。

主权项

1、一种侧面扩散金属氧化物半导体场效晶体管，其特征在于包含：一第一型离子掺杂区域，其内含第一型导电离子，其包含一第一扩散区域以及一第二扩散区域；一漏极扩散区域，其内含重掺杂第一型导电离子，以在该第一扩散区域内形成一漏极区域；至少一个以上的第二型离子场效区块，形成在该第一扩散区域内；一源极扩散区域，内含重掺杂第一型导电离子，以在该第二扩散区域内形成一源极区域；一沟道，形成在该漏极区域与该源极区域之间；一栅极电极，形成在该沟道上方；以及一第二型离子掺杂区域，形成在该第二扩散区域内，将该源极区域包围起来以与其它区域隔离。