半导体集成电路器件

摘要

一种半导体集成电路器件，它包括：形成在P型半导体区域内的N型第1阱；多条字线；多条数据线；多个分别接在多条字线中相对应的一条上、多条数据线中相对应的一条上的存储单元在第1阱上排列而形成的矩阵状DRAM存储单元阵列；和多条数据线耦合的传感放大器的列；驱动多条字线的字线驱动器及电源电路。电源电路以自外部供来的电压为输入，将降低该电压而生成的内部电源电压供向传感放大器、字线驱动器及第1阱。

主权项

1、一种半导体集成电路器件，其中：包括：形成在P型半导体区域内的N型第1阱；多条字线；多条数据线；多个存储单元排列在上述第1阱上而形成的矩阵状DRAM(DynamicRandom-Access Memory)存储单元阵列，每一个存储单元又都是由其栅极接在上述多条字线中与其相对应的一条上、其源极接在上述多条数据线中与其相对应的一条上的P沟道型MOS(Metal Oxide Semiconductor)存取晶体管、和被接在上述存取晶体管的漏极上的电容器组成的；和上述多条数据线耦合的传感放大器的列；驱动上述多条字线的字线驱动器；以及以自外部供来的外部供给电压为输入，将降低上述外部供给电压而生成的内部电源电压供向上述传感放大器、上述字线驱动器及上述第1阱的内部电源电路，上述电源电路，使上述外部供给电压下降，生成比上述外部供给电压还低的主内部电源电压及比上述外部供给电压低、比上述主内部电源电压高的副内部电源电压作上述内部电源电压，且将上述主内部电源电压供向上述传感放大器，向上述第1阱供给上述副内部电源电压作偏压，上述电源电路，包括：被插在供给上述外部供给电压的外部供给电压端和第1输出端之间的第1MOS晶体管和以第1参考电压及上述第1输出端的电压为输入的第1差动放大器，而且，由上述第1差动放大器的输出控制上述第1MOS晶体管而定压化，也就是让上述主内部电源电压保持着和上述第1参考电压相对应的基本一定的电压，最后从上述第1输出端将它输出。