| 发明名称 | 激光处理方法 | ||
| 摘要 | 一种激光处理设备提供一加热腔，一用于激光照射的腔以及一机器人臂，其中在其上形成用激光照射的硅膜的基片的温度在加热腔中被加热到450～750℃，接着用激光照射该硅膜，结果能得到具有单晶或能够被认为是单晶的硅膜。 | ||
| 申请公布号 | CN1252805C | 申请公布日期 | 2006.04.19 |
| 申请号 | CN01103022.4 | 申请日期 | 1995.07.28 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 寺本聪;大谷久;宫永昭治;滨谷敏次;山崎舜平 |
| 分类号 | H01L21/324(2006.01) | 主分类号 | H01L21/324(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 李亚非 |
| 主权项 | 1.一种制造半导体器件的方法，其特征在于，它包括下列步骤：往含有非晶硅的半导体中加入对非晶硅的晶化起促进作用的金属元素；用激光照射半导体；在照射步骤之后在500℃或以上的温度对半导体进行热退火；在上述热退火步骤之后在含氢的氛围中对半导体进行热退火，以便用氢消除内部缺陷。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||