| 发明名称 | 高介电常数栅介质TiO<SUB>2</SUB>/Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>堆栈<SUB></SUB>结构薄膜 | ||
| 摘要 | 一种高介电常数栅介质TiO<SUB>2</SUB>/Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>堆栈结构薄膜，由Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>缓冲层、TiO<SUB>2</SUB>层组成，TiO<SUB>2</SUB>层沉积在Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>缓冲层上，Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>缓冲层厚度为1～3nm，TiO<SUB>2</SUB>层厚度为3～5nm。本发明TiO<SUB>2</SUB>/Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>堆栈结构，充分利用了Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>与硅衬底优异的界面性能和TiO<SUB>2</SUB>的高介电常数性能，优势互补。Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>缓冲层的加入改善了TiO<SUB>2</SUB>薄膜与硅的界面性能，界面层的生长被有效抑制。TiO<SUB>2</SUB>淀积后，堆栈结构的等效氧化物厚度与未淀积时的等效氧化物厚度相比并没有显著提高，在相同等效氧化物厚度情况下，由于实际厚度的增加，漏电流下降了1～2个数量级。因此，TiO<SUB>2</SUB>/Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>堆栈结构是MOSFET结构中栅介质材料的较有前景的候选材料。 | ||
| 申请公布号 | CN1761068A | 申请公布日期 | 2006.04.19 |
| 申请号 | CN200510030974.5 | 申请日期 | 2005.11.03 |
| 申请人 | 上海交通大学;上海集成电路研发中心有限公司 | 发明人 | 凌惠琴;陈寿面;李明;毛大立;杨春生 |
| 分类号 | H01L29/51(2006.01);H01L29/78(2006.01);H01L21/283(2006.01) | 主分类号 | H01L29/51(2006.01) |
| 代理机构 | 上海交达专利事务所 | 代理人 | 王锡麟;王桂忠 |
| 主权项 | 1、一种高介电常数栅介质TiO2/Al2O3堆栈结构薄膜，其特征在于，由Al2O3缓冲层、TiO2层组成，TiO2层沉积在Al2O3缓冲层上。 | ||
| 地址 | 200240上海市闵行区东川路800号 | ||