绝缘体上硅金属氧化物场效应管的制作方法

摘要

提供了一种制作SOI金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)的方法。此SOI MOSFET含有多晶硅背栅来控制含多晶硅前栅的阈值电压。在SOI MOSFET器件中背栅起动态阈值电压控制系统的作用，因为它适用于电路/系统运行期间和闲置期间。

主权项

1.一种绝缘体上硅金属氧化物场效应晶体管器件的制作方法，包含以下步骤：提供一种结构，至少包含在含硅层表面上的背栅氧化物，所述含硅层为SOI晶片的一部分；在所述背栅氧化物上制作背栅STI和第一多晶硅层的交替区；在所述背栅STI和第一多晶硅层的交替区上制作第二多晶硅层；在所述各多晶硅层中离子注入背栅区；在所述第二多晶硅层上制作氧化层；将支撑衬底晶片键合至所述氧化层上，再将键合的结构翻过来而露出所述SOI晶片的各层；除去选择的所述SOI晶片各层，终止于所述含硅层；将所述含硅层的一部分转换为本体区；以及在所述本体区上制作栅介电层和多晶硅栅。