在表面上形成接触窗开口的方法

摘要

一种在半导体材料的表面上形成接触窗开口的方法，此接触窗开口具有对配置于接触窗开口上的介电层进行非等向性蚀刻所制作出的侧壁。保护层配置于半导体材料的表面上。为了保护基底，进行最初的蚀刻而穿过层间介电层，以形成通往基底但并没有穿入的最初的孔洞。并且，在基底上保留至少一部份的保护层。在另一步骤中，形成最终的接触窗开口。在此步骤中，穿过保护层形成开口至半导体材料的表面。

主权项

1、一种在材料表面形成接触窗开口的方法，其特征在于其包括：在一材料的一表面上形成一第一介电层；在该第一介电层上形成一第二介电层；自该第二介电层的一表面至该材料的该表面形成一第一孔洞，其中该第一孔洞的长度小于该第一介电层与该第二介电层的总厚度；形成一第三介电层，以覆盖该孔洞的一表面与暴露出的该第一介电层的一表面；以及去除该第三介电层与该第一介电层的一部份，以暴露出该材料的该表面的一部份。