发明名称 偏转轭和采用该偏转轭的阴极射线管
摘要 在半环型偏转轭中,磁芯(34)沿着管轴从大直径部分(34L)到小直径部分(34S)的整个长度的中间点CL(M)位于水平偏转线圈(30a,30b)的小直径部分(30S)一边,它相对于沿着管轴离开水平偏转线圈(30a,30b)的大直径部分(30L)一边0.41×HL的距离点,其中,HL是水平偏转线圈(30a,30b)沿着管轴的整个长度。偏转轭有效地偏转电子束,且减小了偏转轭所需的偏转电源功率。具有该偏转轭的阴极射线管能够抑制在屏幕垂直方向上所产生的枕形失真类失真,因此能够显示较高质量的图像。
申请公布号 CN1252788C 申请公布日期 2006.04.19
申请号 CN02803358.2 申请日期 2002.10.29
申请人 株式会社东芝 发明人 小川贤;关口定美;小岛忠洋;村井敬
分类号 H01J29/76(2006.01) 主分类号 H01J29/76(2006.01)
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 代理人 李家麟
主权项 1.一种偏转轭,包括:一对对称于中心轴设置且具有截去锥体形状的鞍型水平偏转线圈;具有截去圆锥体形状且同轴于水平偏转线圈的外围一边中心轴设置的磁芯;以及,一对对称于中心轴设置的环型垂直偏转线圈;其特征在于,磁芯沿着从大直径部分到小直径部分的中心轴的整个长度的中间点位于水平偏转线圈的小直径部分一边,它在沿着中心轴离开水平偏转线圈的大直径部分0.41×HL的距离的点上,其中,HL是水平偏转线圈沿着中心轴的整个长度。
地址 日本东京