发明名称 |
在片阻抗匹配的低压高线性度射频放大器 |
摘要 |
本发明涉及一种在片阻抗匹配的低压高线性度射频放大器,属无线通信技术领域。该射频放大器包括用于为信号放大器的输入端提供50欧姆输入阻抗的阻抗匹配电路,用于为共源输入晶体管提供负载的负载调谐回路,由负载调谐电感和节点寄生电容组成,用于为共源输入晶体管提供偏置的电阻,用于为信号放大器的输出端提供50欧姆输出阻抗的阻抗匹配电路。本发明提出的射频放大器,可以被用来作为接收机的射频低噪声放大器和发射机的前置放大器,其中射频低噪声放大器具有高增益和低增益两种工作模式,前置放大器具有很高的线性度,两种不同用途的射频放大器都实现了在片输入/输出阻抗匹配功能,可以降低射频系统的复杂性和成本。 |
申请公布号 |
CN1252912C |
申请公布日期 |
2006.04.19 |
申请号 |
CN200310100474.5 |
申请日期 |
2003.10.17 |
申请人 |
清华大学;上海清华晶芯微电子有限公司 |
发明人 |
石秉学;池保勇;廖青 |
分类号 |
H03F1/32(2006.01);H03F3/189(2006.01) |
主分类号 |
H03F1/32(2006.01) |
代理机构 |
北京清亦华知识产权代理事务所 |
代理人 |
罗文群 |
主权项 |
1、一种在片阻抗匹配的低压高线性度射频放大器,其特征在于该放大器包括输入级、输出级以及输入级和输出级之间的隔直电容(C1),其中的输入级包括:(1)用于为信号放大器的输入端提供50欧姆输入阻抗的阻抗匹配电路,由共源输入晶体管(M1)、源简并电感(L1)、输入串联电感(L2)以及栅源串联电容(C2)组成,共源输入晶体管(M1)的栅极同时与输入串联电感(L2)和栅源串联电容(C2)一端相连,其源极同时与栅源串联电容(C2)的另一端和源简并电感(L1)一端相连,其漏极同时与负载调谐电感(L3)的一端和隔直电容(C1)的一端相连,其中的共源输入晶体管(M1)同时对输入信号进行放大;(2)用于为共源输入晶体管(M1)提供负载的负载调谐回路,由负载调谐电感(L3)和节点寄生电容组成;(3)用于为共源输入晶体管(M1)提供偏置的电阻(R3),电阻(R3)的一端与偏置电压电源(VB)相连,其另一端与共源输入晶体管(M1)的栅极相连;其中的输出级包括:(4)用于为信号放大器的输出端提供50欧姆输出阻抗的阻抗匹配电路,由并联反馈电阻(R1)、负载电阻(R2)和共源输出晶体管(M2)组成,共源输出晶体管(M2)的栅极同时与隔直电容(C1)的一端和并联反馈电阻(R1)的一端相连,其源极接地,其漏极同时与并联反馈电阻(R1)、负载电阻(R2)和输出端相连,其中的共源输出晶体管(M2)同时对输出信号进行放大。 |
地址 |
100084北京市海淀区清华园清华大学西院44号 |